Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P
;
GBUE2560-M3/P

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена GBUE2560-M3/P при покупке от 1 шт 891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBUE2560-M3/P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 4.9А
    • Тип: мостовая диода
    • Фаза: одноточечная
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокий коэффициент переносимости импульсного напряжения
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при высоких температурах
    • Могут быть чувствительны к электромагнитному излучению
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для бытовой техники и электроники
    • Автомобильные системы
    • Индустриальные приборы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики GBUE2560-M3/P

Техническая документация

GBUE2560-M3/P.pdf
pdf. 0 kb
  • 2170 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    891 ₽
  • 10
    432 ₽
  • 800
    387 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена GBUE2560-M3/P при покупке от 1 шт 891.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GBUE2560-M3/P с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GBUE2560-M3/P

GBUE2560-M3/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division BRIDGE RECT 1PHASE 600V 4.9A GBU

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Номинальный ток: 4.9А
    • Тип: мостовая диода
    • Фаза: одноточечная
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Хорошая термическая стабильность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокий коэффициент переносимости импульсного напряжения
  • Минусы:
    • Высокое сопротивление при высоких температурах
    • Могут быть чувствительны к электромагнитному излучению
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный
    • Защита электронных устройств от обратного тока
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для бытовой техники и электроники
    • Автомобильные системы
    • Индустриальные приборы
    • Устройства управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики GBUE2560-M3/P

Техническая документация

GBUE2560-M3/P.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории