GCMX080B120S1-E1

Маркировка GCMX080B120S1-E1, производитель SemiQ:

• Описание: SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 1200 В
• Номинальная токовая способность: 80 мА
• Технология: SiC (силicon carbide)
• Пакет: SOT-227

Плюсы:

• Высокая эффективность при работе на высоких температурах и частотах.
• Малый тепловой сопротивление.
• Устойчивость к динамическим нагрузкам.
• Малый размер и вес.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET.
• Требуются специфические знания для работы с SiC-компонентами.
• Требуется дополнительное оборудование для тестирования и монтажа.

Общее назначение:

• Используется в трансформаторных преобразователях питания.
• Применяется в системах управления двигателей.
• Работает в сетях с переменным напряжением.
• Способствует уменьшению размеров и массы устройств.

В каких устройствах применяется:

• Автомобильные системы питания.
• Промышленные преобразователи питания.
• Энергосберегающие приборы.
• Бытовые электронные устройства.