Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
GDZ13B-E3-18
  • В избранное
  • В сравнение
GDZ13B-E3-18

GDZ13B-E3-18

GDZ13B-E3-18
;
GDZ13B-E3-18

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GDZ13B-E3-18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323Все характеристики

Минимальная цена GDZ13B-E3-18 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GDZ13B-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GDZ13B-E3-18

Диод Зендер GDZ13B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Номинальное напряжение зенда: 13В
  • Максимальная мощность: 200мВт
  • Форм-фактор: SOD323

Основные параметры:

  • Скорость срабатывания: до 40В
  • Коэффициент зависимости напряжения от тока: менее 5% от номинала
  • Максимальный ток: 200мА

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения зенда
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и компактность
  • Прочность конструкции

Минусы:

  • Низкий максимальный ток (200мА)
  • Минимальное напряжение зенда не регулируется

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита электронных компонентов от переизбытка напряжения
  • Измерение напряжений

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Электроприборах
  • Телекоммуникационных системах
Выбрано: Показать

Характеристики GDZ13B-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Допуск
    ±4%
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    37 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 10 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Base Product Number
    GDZ13

Техническая документация

 GDZ13B-E3-18.pdf
pdf. 0 kb
  • 10000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    43 ₽
  • 100
    16 ₽
  • 1000
    10.3 ₽
  • 5000
    7.8 ₽
  • 20000
    6.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Артикул:
    GDZ13B-E3-18
  • Описание:
    Диод: DIODE ZENER 13V 200MW SOD323Все характеристики

Минимальная цена GDZ13B-E3-18 при покупке от 1 шт 43.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GDZ13B-E3-18 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GDZ13B-E3-18

Диод Зендер GDZ13B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • Номинальное напряжение зенда: 13В
  • Максимальная мощность: 200мВт
  • Форм-фактор: SOD323

Основные параметры:

  • Скорость срабатывания: до 40В
  • Коэффициент зависимости напряжения от тока: менее 5% от номинала
  • Максимальный ток: 200мА

Плюсы:

  • Высокая точность напряжения зенда
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и компактность
  • Прочность конструкции

Минусы:

  • Низкий максимальный ток (200мА)
  • Минимальное напряжение зенда не регулируется

Общее назначение:

  • Стабилизация напряжения в электронных цепях
  • Защита электронных компонентов от переизбытка напряжения
  • Измерение напряжений

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобильной электронике
  • Электроприборах
  • Телекоммуникационных системах
Выбрано: Показать

Характеристики GDZ13B-E3-18

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Напряжение туннельного пробоя p-n- перехода (Vz)
    13 V
  • Допуск
    ±4%
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Импеданс (Макс) (Zzt)
    37 Ohms
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    100 nA @ 10 V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-76, SOD-323
  • Исполнение корпуса
    SOD-323
  • Base Product Number
    GDZ13

Техническая документация

 GDZ13B-E3-18.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RD33ES-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD43E(N)-T4DIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD6.2E(N)-T2DIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F(10)-T6-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    RD30F-T8-AZDIODE ZENER
    61Кешбэк 9 баллов
    HZ3C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS24NB2TD-EDIODE ZENER 0.4W
    35Кешбэк 5 баллов
    HZ5CLLTD-EDIODE ZENER 0.25W
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZS5A1TA-EDIODE ZENER 0.4W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD2.4ES-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    RD8.2JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла
    HZ3C1J-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM2.0NB-JTL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB1TL-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM16NB3TR-EDIODE ZENER
    41Кешбэк 6 баллов
    HZM27NBTLDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB1TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM27NBTL-EDIODE ZENER
    80Кешбэк 12 баллов
    HZM3.3NB2TR-EDIODE ZENER
    50Кешбэк 7 баллов
    HZM5.1NB1TR-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.6NB1JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM5.1NB3JTL-EDIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    HZM8.2NB3JTL-EDIODE ZENER
    44.5Кешбэк 6 баллов
    RKZ10B2KG#P1DIODE ZENER 10V
    26Кешбэк 3 балла
    RKZ12B2KG#P1DIODE ZENER
    29.6Кешбэк 4 балла
    RKZ18B2KG#P1DIODE ZENER
    26Кешбэк 3 балла
    HZ9C3TA-EDIODE ZENER 0.5W
    29.6Кешбэк 4 балла
    RD13ES-AZDIODE ZENER
    13Кешбэк 1 балл
    RD9.1JS-AZDIODE ZENER
    14.8Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП