Вход/Регистрация
FS50KM-2#E52DISCRETE / POWER MOSFET
Минимальная цена GE17042BCA3 при покупке от 1 шт 499293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GE17042BCA3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена GE17042BCA3 при покупке от 1 шт 499293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GE17042BCA3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Разрешенные параметры:
Маркировка: GE17042BCA3
Производитель: GE Aerospace
Тип компонента: Транзистор
Номинальное напряжение: 1700В
Предел тока: 425А
Технология: SiC (силicon carbide)
Форма: Двухмодульный транзистор
Основные параметры:
Номинальное напряжение (VCEO): 1700В
Предел тока (IDM): 425А
Технология: SiC
Форма: Двухмодульный транзистор
Плюсы:
Высокое номинальное напряжение (1700В) обеспечивает надежную работу при высоких напряжениях.
Высокий предел тока (425А) позволяет передавать значительные электрические потоки.
Использование SiC обеспечивает более низкое сопротивление и лучшую термическую стабильность по сравнению с традиционными материалами.
Двухмодульная конструкция улучшает термическое распределение и надежность.
Минусы:
Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами.
Требуют специфического оборудования для монтажа и тестирования.
Общее назначение:
Используется в мощных электропитаниях и преобразовательных системах.
Подходит для применения в энергетических системах, например, в трансформаторных подстанциях.
Пригоден для использования в промышленных системах управления и автоматизации.
В каких устройствах применяется:
Преобразователи напряжения и частоты (ВИВЧ-установки).
Энергосберегающие системы.
Системы управления двигателей.
Промышленные электропитания и преобразователи.
GE17042BCA3.pdf 