Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
GE17042CCA3
  • В избранное
  • В сравнение
GE17042CCA3

GE17042CCA3

GE17042CCA3
;
GE17042CCA3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GE Aerospace
  • Артикул:
    GE17042CCA3
  • Описание:
    Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODULВсе характеристики

Минимальная цена GE17042CCA3 при покупке от 1 шт 499293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GE17042CCA3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GE17042CCA3

Разрешенные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1700В
  • Ток пропускания: 425А
  • Тип: SIC HALF-BRIDGE MODUL (модуль полного моста на основе SiC)

Плюсы:

  • Высокая частота работы: Из-за использования SiC, модуль может работать при значительно более высокой частоте, что позволяет снизить размеры и вес конечного устройства.
  • Энергоэффективность: Модуль SiC обеспечивает меньшие потери энергии по сравнению с традиционными материалами.
  • Меньшая тепловая нагрузка: Снижение потерь энергии приводит к уменьшению тепловых нагрузок на компоненты.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Компоненты на основе SiC стоят дороже, чем аналоги на основе Si или GaN.
  • Требования к охлаждению: Несмотря на снижение тепловых потерь, все еще требуется эффективное охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Сложность в проектировании: Использование SiC требует специфических знаний и навыков для правильного проектирования и управления процессами.

Общее назначение:

  • Модули полного моста SiC используются в различных приложениях, где важны высокие рабочие температуры, частота работы и энергоэффективность. Это включает в себя:
  • Трансформаторные подстанции
  • Автомобильные системы питания
  • Инверторы для возобновляемых источников энергии
  • Мощные преобразователи энергии

Применение:

  • Такие модули часто используются в промышленных установках и системах передачи энергии, где требуется высокая надежность и энергоэффективность.
Выбрано: Показать

Характеристики GE17042CCA3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700V (1.7kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    425A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.45mOhm @ 425A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 160mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    29100pF @ 900V
  • Рассеивание мощности
    1250W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module

Техническая документация

 GE17042CCA3.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    499 293 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GE Aerospace
  • Артикул:
    GE17042CCA3
  • Описание:
    Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODULВсе характеристики

Минимальная цена GE17042CCA3 при покупке от 1 шт 499293.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GE17042CCA3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GE17042CCA3

Разрешенные параметры:

  • Номинальное напряжение: 1700В
  • Ток пропускания: 425А
  • Тип: SIC HALF-BRIDGE MODUL (модуль полного моста на основе SiC)

Плюсы:

  • Высокая частота работы: Из-за использования SiC, модуль может работать при значительно более высокой частоте, что позволяет снизить размеры и вес конечного устройства.
  • Энергоэффективность: Модуль SiC обеспечивает меньшие потери энергии по сравнению с традиционными материалами.
  • Меньшая тепловая нагрузка: Снижение потерь энергии приводит к уменьшению тепловых нагрузок на компоненты.

Минусы:

  • Высокая стоимость: Компоненты на основе SiC стоят дороже, чем аналоги на основе Si или GaN.
  • Требования к охлаждению: Несмотря на снижение тепловых потерь, все еще требуется эффективное охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Сложность в проектировании: Использование SiC требует специфических знаний и навыков для правильного проектирования и управления процессами.

Общее назначение:

  • Модули полного моста SiC используются в различных приложениях, где важны высокие рабочие температуры, частота работы и энергоэффективность. Это включает в себя:
  • Трансформаторные подстанции
  • Автомобильные системы питания
  • Инверторы для возобновляемых источников энергии
  • Мощные преобразователи энергии

Применение:

  • Такие модули часто используются в промышленных установках и системах передачи энергии, где требуется высокая надежность и энергоэффективность.
Выбрано: Показать

Характеристики GE17042CCA3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1700V (1.7kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    425A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.45mOhm @ 425A, 20V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 160mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    18V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    29100pF @ 900V
  • Рассеивание мощности
    1250W
  • Рабочая температура
    175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module

Техническая документация

 GE17042CCA3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FS50KM-2#E52DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2059L-E3A, 600V, N-CHANNEL MOSFET
    445Кешбэк 66 баллов
    2SK1626-E5A, 450V, N-CHANNEL MOSFET
    419Кешбэк 62 балла
    FS50KM-06-AX#E51DISCRETE / POWER MOSFET
    387Кешбэк 58 баллов
    2SK2725-E5A, 500V, N-CHANNEL MOSFET
    962Кешбэк 144 балла
    2N7002KDWТранзистор: N-CH MOSFET 60V 0.34A SOT-363
    43Кешбэк 6 баллов
    SI1965DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
    141Кешбэк 21 балл
    SI1967DH-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
    122Кешбэк 18 баллов
    SI1902DL-T1-BE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
    132Кешбэк 19 баллов
    SQJ260EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
    330Кешбэк 49 баллов
    SIZ980BDT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 30V PPAIR 6 X 5
    356Кешбэк 53 балла
    SIZ240DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DUAL N-CH 40V POWERPAIR 3
    411Кешбэк 61 балл
    SQ1539EH-T1_GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6
    69Кешбэк 10 баллов
    SQJ974EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8
    291Кешбэк 43 балла
    SIZ342DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
    270Кешбэк 40 баллов
    SI1036X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 610MA SC89-6
    96Кешбэк 14 баллов
    SIZ322DT-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 25V 30A 8-POWER33
    200Кешбэк 30 баллов
    SQ4940AEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
    189Кешбэк 28 баллов
    GE17042CCA3Транзистор: 1700V 425A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    GE17080CDA3Транзистор: 1700V 765A SIC HALF-BRIDGE MODUL
    998 587Кешбэк 149 788 баллов
    GE17045EEA3Транзистор: 1700V 425A SiC Six-Pack Module
    1 936 036Кешбэк 290 405 баллов
    GE12047BCA3Транзистор: 1200V 475A SiC Dual Module
    397 397Кешбэк 59 609 баллов
    GE17042BCA3Транзистор: 1700V 425A SIC DUAL MODULE
    499 293Кешбэк 74 893 балла
    NP30N04QUK-E1-AYТранзистор: POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS 8P HSO
    608Кешбэк 91 балл
    CAB006A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN
    45 815Кешбэк 6 872 балла
    CAB425M12XM3Транзистор: 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM
    135 220Кешбэк 20 283 балла
    CAB016M12FM3Транзистор: MOSFET 2 N-CH 1.2KV 78A MODULE
    18 680Кешбэк 2 802 балла
    CAB011M12FM3Транзистор: 1200V SIC H-BRIDGE MODULE
    22 893Кешбэк 3 433 балла
    CCB032M12FM3Транзистор: 1200V SIC 6-PACK MODULE
    23 468Кешбэк 3 520 баллов
    CAB008A12GM3Транзистор: 1200V 2B HALF-BRIDGE, ALN
    38 850Кешбэк 5 827 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП