Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
GL34AHE3/98
  • В избранное
  • В сравнение
GL34AHE3/98

GL34AHE3/98

GL34AHE3/98
;
GL34AHE3/98

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GL34AHE3/98
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена GL34AHE3/98 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GL34AHE3/98 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GL34AHE3/98

GL34AHE3/98 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 500mA DO213AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 500мА
    • Форм-фактор: DO213AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Переключение сигналов
    • Обработка высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GL34AHE3/98

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 500 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.5 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA (GL34)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    GL34

Техническая документация

 GL34AHE3/98.pdf
pdf. 0 kb
  • 4161 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    124 ₽
  • 100
    51 ₽
  • 1000
    32.6 ₽
  • 5000
    25 ₽
  • 25000
    21 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Vishay General Semiconductor
  • Артикул:
    GL34AHE3/98
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AAВсе характеристики

Минимальная цена GL34AHE3/98 при покупке от 1 шт 124.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GL34AHE3/98 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание GL34AHE3/98

GL34AHE3/98 Vishay General Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 500mA DO213AA

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Номинальный ток: 500мА
    • Форм-фактор: DO213AA
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к шуму
    • Малый размер и легкость установки
    • Высокая скорость включения/выключения
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита от обратного тока
    • Переключение сигналов
    • Обработка высокочастотных сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Компьютеры и периферийное оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики GL34AHE3/98

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    50 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    500mA
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.2 V @ 500 mA
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    1.5 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 50 V
  • Емкость @ Vr, F
    4pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-213AA (Glass)
  • Исполнение корпуса
    DO-213AA (GL34)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    GL34

Техническая документация

 GL34AHE3/98.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STPSC10H065DДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
    732Кешбэк 109 баллов
    STPS30M60SG-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 30A D2PAK
    232Кешбэк 34 балла
    STPSC12H065DДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC
    580Кешбэк 87 баллов
    STTH30S12WDIODE GEN PURP 1.2KV 30A DO247
    326Кешбэк 48 баллов
    STTH8R06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
    173Кешбэк 25 баллов
    STPSC8H065DIДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
    422Кешбэк 63 балла
    STTH3R02RLДиод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
    79Кешбэк 11 баллов
    STTH3R04SДиод: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC
    103Кешбэк 15 баллов
    STPS20M60SRDIODE SCHOTTKY 60V 20A I2PAK
    361Кешбэк 54 балла
    STPS20M100STДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220AB
    582Кешбэк 87 баллов
    STPS20M100SRDIODE SCHOTTKY 100V 20A I2PAK
    654Кешбэк 98 баллов
    STTH8L06FPДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP
    126Кешбэк 18 баллов
    STPS30M100SRDIODE SCHOTTKY 100V 30A I2PAK
    547Кешбэк 82 балла
    STTH2R02UДиод: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
    67Кешбэк 10 баллов
    STTH1512PIДиод: DIODE GEN PURP 1.2KV 15A DOP3I
    532Кешбэк 79 баллов
    STTH1R02QДиод: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO15
    70Кешбэк 10 баллов
    STPS5H100BДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DPAK
    150Кешбэк 22 балла
    STPSC6H065DIДиод: DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220AC
    630Кешбэк 94 балла
    STTH60L06WДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A DO247
    563Кешбэк 84 балла
    STTH60R04WДиод: DIODE GEN PURP 400V 60A DO247
    404Кешбэк 60 баллов
    STTH30R04DYДиод: DIODE GEN PURP 400V 30A TO220AC
    258Кешбэк 38 баллов
    STPS20M120SRDIODE SCHOTTKY 120V 20A I2PAK
    393Кешбэк 58 баллов
    STTH5R06DДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC
    89Кешбэк 13 баллов
    STPSC10H065G-TRДиод: DIODE SILICON 650V 10A D2PAK
    689Кешбэк 103 балла
    STTH6004WДиод: DIODE GEN PURP 400V 60A DO247
    821Кешбэк 123 балла
    STTH3010PIДиод: DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I
    530Кешбэк 79 баллов
    STTH8R06GY-TRDIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK
    322Кешбэк 48 баллов
    STTH30R06PIДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A DOP3I
    706Кешбэк 105 баллов
    STPS745G-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A D2PAK
    256Кешбэк 38 баллов
    STPS20M100SG-TRДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 20A D2PAK
    283Кешбэк 42 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Принадлежности
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП