Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

GT110N06S

GT110N06S

GT110N06S

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Goford Semiconductor
Артикул:
GT110N06S
Описание:
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1Все характеристики

Минимальная цена GT110N06S при покупке от 1 шт 208.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT110N06S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики GT110N06S

Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SOP
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

В избранное
В сравнение

3533 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
208 ₽
10
130 ₽
500
66 ₽
2000
55 ₽
8000
47 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Goford Semiconductor
Артикул:
GT110N06S
Описание:
N60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1Все характеристики

Минимальная цена GT110N06S при покупке от 1 шт 208.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GT110N06S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики GT110N06S

Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
3W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
8-SOP
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IXTA3N100D2HV MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV

1 310Кешбэк 196 баллов

NTB190N65S3HF MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3

1 000Кешбэк 150 баллов

SIR516DP-T1-RE3 N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

465Кешбэк 69 баллов

MSC035SMA070B MOSFET N-CH 700V TO247

1 915Кешбэк 287 баллов

FX20ASJ-03F-T13#X3 P-CHANNEL POWER MOSFET

239Кешбэк 35 баллов

DMP2022LSSQ-13 MOSFET P-CH 20V 9.3A 8SO

220Кешбэк 33 балла

DMTH10H2M5STLWQ-13 MOSFET BVDSS: 61V~100V,POWERDI10

825Кешбэк 123 балла

SISS27ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S

213Кешбэк 31 балл

SISH472DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 15A/20A PPAK

186Кешбэк 27 баллов

APT14M120S MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK

1 837Кешбэк 275 баллов

SCT4026DEC11 750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

3 610Кешбэк 541 балл

BUK6D72-30EX MOSFET N-CH 30V 4A/11A 6DFN

128Кешбэк 19 баллов

IPB60R180P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

508Кешбэк 76 баллов

RJJ0621DPP-00#T2 P-CHANNEL POWER MOSFET

253Кешбэк 37 баллов

DMP31D7L-13 MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R

53Кешбэк 7 баллов

NP75N04VDK-E1-AY POWER TRS2

386Кешбэк 57 баллов

DI040P04PT MOSFET, -40V, -40A, P, 22.7W

251Кешбэк 37 баллов

MMSF1310R2 N-CHANNEL POWER MOSFET

46Кешбэк 6 баллов

RF4C100BCTCR Диод: MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8

193Кешбэк 28 баллов

RD3H160SPTL1 MOSFET P-CH 45V 16A TO252

370Кешбэк 55 баллов

IXTT4N150HV MOSFET N-CH 1500V 4A TO268

6 744Кешбэк 1 011 баллов

SQJ164ELP-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)

310Кешбэк 46 баллов

SQS484ENW-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8

231Кешбэк 34 балла

IPP026N10NF2SAKMA1 TRENCH >=100V

483Кешбэк 72 балла

SIR878BDP-T1-RE3 MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK

173Кешбэк 25 баллов

2SK2624LS N-CHANNEL SILICON MOSFET

115Кешбэк 17 баллов

SQD23N06-31L_GE3 MOSFET N-CH 60V 23A TO252

370Кешбэк 55 баллов

PSMNR51-25YLHX MOSFET N-CH 25V 380A LFPAK56

825Кешбэк 123 балла

2N7000-D75Z MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

91Кешбэк 13 баллов

IMZ120R350M1HXKSA1 SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4

1 101Кешбэк 165 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Биполярные транзисторы

Диоды - ВЧ

Высокочастотные полевые транзисторы

Диоды выпрямительные - Модули

Транзисторы - IGBT - одиночные

Диоды силовые

Симисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Драйверы питания - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Полевые транзисторы - Одиночные

Триодные тиристоры - Одиночные

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - Специального назначения

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Биполярные транзисторы - Сборки

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Высокочастотные диоды

Транзисторы - JFET

Диоды выпрямительные - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диодные мосты

Варикапы и Варакторы

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Триодные тиристоры - Модули

Диоды выпрямительные - Одиночные

Полевые транзисторы - Модули

Диодные мосты - Модули

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Принадлежности

Тиристоры - TRIACs

IGBT транзисторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы - Модули

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Биполярные транзисторы - Одиночные

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Высокочастотные биполярные транзисторы

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - IGBT - модули

Симисторы

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали