H5N2305P-E

H5N2305P-E Renesas Electronics Corporation POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

• Основные параметры:
  • Рабочее напряжение: 1200 В
  • Максимальный ток: 23 А
  • Тип: N-канальный полевого транзистор
  • Структура: SiC MOSFET (Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
• Плюсы:
  • Высокая эффективность
  • Низкий коэффициент динамического резistance (R_Don)
  • Высокий КПД
  • Устойчивость к излучению
  • Малый размер и легкость
• Минусы:
  • Высокая стоимость
  • Требуется специальное оборудование для производства
  • Сложность в проектировании и монтаже
• Общее назначение:
  • Использование в высоковольтных и высокоточных системах
  • Применение в инверторах для промышленного оборудования
  • Работа в солнечных панелях и других источниках возобновляемой энергии
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильная электроника
  • Промышленное оборудование
  • Энергетические системы
  • Инверторы для солнечных панелей