H5N2512FN-E

H5N2512FN-E Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET — это тип мощного полупроводникового транзистора, используемого для управления токами в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения (V_DS(on)): 250 В
• Рейтинг тока (I_D(on)): 12 А
• Минимальное значение сопротивления резистора (R_DS(on)): 47 мО
• Тип: N-канальный MOSFET
• Пакет: TO-263AB

• Плюсы:
• Высокая эффективность при работе в режиме включения и выключения
• Низкое сопротивление резистора, обеспечивающее меньшие потери энергии
• Устойчивость к перенапряжению
• Удобство использования в различных приложениях благодаря низкому входному сопротивлению

• Минусы:
• Высокие требования к охлаждению из-за высокой тепловыделения
• Возможность возникновения засветки при быстром отключении

Общее назначение: Используется для управления токами в мощных электронных устройствах, таких как инверторы питания, преобразователи, системы управления двигателем и трансформаторные блоки питания.

• В каких устройствах применяется:
• Инверторы питания
• Преобразователи напряжения
• Системы управления двигателем
• Трансформаторные блоки питания
• Автомобильные электронные системы