H5N2901FN-E

H5N2901FN-E Renesas Electronics Corporation N-CHANNEL POWER MOSFET — это мощной навесного поля транзистор для цифровых и аналоговых приложений.

• Основные параметры:
• V_DS(max) — 60 В
• I_D(max) — 29 А
• R_DS(on) — 2.7 мО
• Температура работы — от -40°C до +150°C
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и легкий вес
• Низкое значение R_DS(on), обеспечивающее меньшие потери энергии
• Работа при высоких температурах
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
• Требуют дополнительных компонентов для защиты от перенапряжения и перетока
• Общее назначение:
• Применяется в системах питания и управления
• Используется в источниках питания для компьютеров, серверов и других устройств
• Подходит для промышленных и бытовых приборов
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Автомобильные системы
• Промышленное оборудование
• Компьютеры и серверы
• Мобильные устройства