HAT1142R02-EL-E

HAT1142R02-EL-E Renesas Electronics Corporation P-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Тип: P-канальный силовой MOSFET
• Рейтинг напряжения V_GS(th): ≤3V (максимальное)
• Рейтинг тока I_D: 2A (максимальное)
• Рейтинг мощности P_D: 0.65W (максимальное)
• Пакет: SOT223
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность
• Малый размер и легкость в установке
• Высокая скорость переключения
• Низкий коэффициент сопротивления при включении
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
• Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Общее назначение:
• Управление нагрузками в электронных устройствах
• Переключение высоких токов и напряжений
• Оптимизация энергопотребления в системах
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы питания для ноутбуков и смартфонов
• Промышленные контроллеры и преобразователи
• Электронные системы управления нагрузками в бытовой технике