HAT2019R-EL-E

HAT2019R-EL-E от Renesas Electronics Corporation — это мощной навесного поля (N-канальный) транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor). Этот тип транзисторов широко используется в различных приложениях благодаря своим высоким характеристикам.

• Основные параметры:
• Рейтинг напряжения V_GS(th): 4,5 В (максимальное напряжение управления)
• Рейтинг тока I_D: 20 А (максимальный ток нагрузки)
• Рейтинг температуры T_J(max): 175 °C (максимальная рабочая температура)
• Рейтинг тепловыделения P_D(max): 2,3 Вт (максимальное тепловыделение)

• Плюсы:
• Высокий коэффициент передачи (V_GS(th)) обеспечивает эффективное управление током.
• Высокие значения тока нагрузки и тепловыделения позволяют использовать его в мощных системах.
• Малый размер и легкий вес делают его удобным для интеграции в различные устройства.
• Надежность и долговечность благодаря качественному исполнению.

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET.
• Требуется дополнительное охлаждение при работе в условиях высоких температур.

Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах, таких как источники питания, приводы двигателей, системы управления силами и т.д.

• В каких устройствах применяется:
• Источники питания для ноутбуков и серверов.
• Приводы для электромобилей и гибридных автомобилей.
• Системы управления силами в промышленном оборудовании.
• Приводы для домашней электротехники.