Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HAT2199R-EL-E

HAT2199R-EL-E

HAT2199R-EL-E
;
HAT2199R-EL-E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HAT2199R-EL-E при покупке от 268 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HAT2199R-EL-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HAT2199R-EL-E

HAT2199R-EL-E Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ненаправленного действия с напряжением Рабочего канала до 30В и током 11А в корпусе 8SOP.

  • Основные параметры:
    • Напряжение Рабочего канала (VDS) — 30В
    • Ток Рабочий (ID) — 11А
    • Количество выводов — 8
    • Тип — N-канальный
    • Форма корпуса — 8SOP (8-Pin Small Outline Package)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Требует дополнительной проектировки системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по частоте работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Размеры и мощность управления электрическими цепями
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Распределенные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики HAT2199R-EL-E

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.5mOhm @ 5.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 4.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1060 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • по запросу
Минимально и кратно 268 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HAT2199R-EL-E при покупке от 268 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HAT2199R-EL-E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HAT2199R-EL-E

HAT2199R-EL-E Renesas Electronics Corporation MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP — это полупроводниковый транзистор типа MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ненаправленного действия с напряжением Рабочего канала до 30В и током 11А в корпусе 8SOP.

  • Основные параметры:
    • Напряжение Рабочего канала (VDS) — 30В
    • Ток Рабочий (ID) — 11А
    • Количество выводов — 8
    • Тип — N-канальный
    • Форма корпуса — 8SOP (8-Pin Small Outline Package)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Требует дополнительной проектировки системы охлаждения при высоких нагрузках
    • Могут быть ограничения по частоте работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Размеры и мощность управления электрическими цепями
  • Применение:
    • Автомобильная электроника
    • Мобильные устройства
    • Инверторы и преобразователи
    • Системы управления двигателем
    • Распределенные системы питания
Выбрано: Показать

Характеристики HAT2199R-EL-E

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16.5mOhm @ 5.5A, 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.5 nC @ 4.5 V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1060 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOP
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 268 шт