Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
HER108G A0G
  • В избранное
  • В сравнение
HER108G A0G

HER108G A0G

HER108G A0G
;
HER108G A0G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    HER108G A0G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена HER108G A0G при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HER108G A0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HER108G A0G

HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1 кВ
    • Ток прямого тока: 1 А
    • Форма корпуса: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокий класс изоляции (1 кВ)
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса для своих характеристик
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с более крупными диодами
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Обеспечение защиты от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Портативная электроника
    • Автомобильные системы
    • Измерительное оборудование
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики HER108G A0G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    HER108

Техническая документация

 HER108G A0G.pdf
pdf. 0 kb
  • 4313 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    59 ₽
  • 100
    29 ₽
  • 1000
    19 ₽
  • 6000
    12.8 ₽
  • 15000
    11.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    HER108G A0G
  • Описание:
    Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204ALВсе характеристики

Минимальная цена HER108G A0G при покупке от 1 шт 59.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HER108G A0G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HER108G A0G

HER108G A0G Taiwan Semiconductor Corporation Диод: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1 кВ
    • Ток прямого тока: 1 А
    • Форма корпуса: DO204AL
  • Плюсы:
    • Высокий класс изоляции (1 кВ)
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса для своих характеристик
  • Минусы:
    • Меньше мощности по сравнению с более крупными диодами
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Обеспечение защиты от перенапряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Портативная электроника
    • Автомобильные системы
    • Измерительное оборудование
    • Системы управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики HER108G A0G

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1000 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    1A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.7 V @ 1 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    75 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    5 µA @ 1000 V
  • Емкость @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Исполнение корпуса
    DO-204AL (DO-41)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    HER108

Техническая документация

 HER108G A0G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RBR3L60BDDTE25Диод: LOW VF TYPE AUTOMOTIVE SCHOTTKY
    119Кешбэк 17 баллов
    MUR160SDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AA
    83Кешбэк 12 баллов
    BYG10YHE3_A/H1.5A,1600V,STD,AVALANCHE,SMD
    69Кешбэк 10 баллов
    VS-3EYH01HM3/HFRED PT RECTIFIER SLIMSMAW
    87Кешбэк 13 баллов
    STTH30RQ06G-TRДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK
    521Кешбэк 78 баллов
    V15P8HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A
    237Кешбэк 35 баллов
    SB590Диод: SCHOTTKY DO-201 90V 5A
    91Кешбэк 13 баллов
    SGL34-50Диод: SCHOTTKY DO-213AA 50V 0.5A
    18Кешбэк 2 балла
    CDBMS1150-HFDIODE SCHOTTKY 150V 1A SOD-123F
    70Кешбэк 10 баллов
    SUF4007Диод: DIODE UFR MELF 1000V 1A
    59Кешбэк 8 баллов
    CMH07(TE12L,Q,M)DIODE GEN PURP 200V 2A M-FLAT
    148Кешбэк 22 балла
    SBT1040-3GSchottky, 40V, 10A, 0.50V, 135A
    233Кешбэк 34 балла
    RURP1540RECTIFIER, AVALANCHE, 15A, 400V
    306Кешбэк 45 баллов
    RB168L-40TFTE25Диод: SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    96Кешбэк 14 баллов
    SFAS805GDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS805GHDIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS806GHDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SFAS808GHDIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    272Кешбэк 40 баллов
    SDURB1040DIODE GEN PURP 400V D2PAK
    60Кешбэк 9 баллов
    1SS388_R1_00001SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
    29.6Кешбэк 4 балла
    SFAS804GDIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
    269Кешбэк 40 баллов
    SFS1008GDIODE GEN PURP 600V 10A TO263AB
    276Кешбэк 41 балл
    SBRFP10U60D1-13Диод: SUPERBARRIERRECTIFIERTO252T&R2.5
    183Кешбэк 27 баллов
    ER2G_R1_00001SMB, SUPER
    94Кешбэк 14 баллов
    ES1G_R1_00001Диод: SMA, SUPER
    59Кешбэк 8 баллов
    FESF16JTHE3_A/PDIODE GEN PURP 600V 16A ITO220AC
    521Кешбэк 78 баллов
    VS-15ETH06STRR-M3DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB
    295Кешбэк 44 балла
    SFAS806GDIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB
    270Кешбэк 40 баллов
    1N5400KДиод: DIODE STD DO-15 50V 3A
    53Кешбэк 7 баллов
    S3GSMBДиод: DIODE STD SMB 400V 3A
    48Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП