Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные биполярные транзисторы
HFA3102BZ
  • В избранное
  • В сравнение
HFA3102BZ

HFA3102BZ

HFA3102BZ
;
HFA3102BZ

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Renesas / Intersil
  • Артикул:
    HFA3102BZ
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOICВсе характеристики

Минимальная цена HFA3102BZ при покупке от 1 шт 1575.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3102BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HFA3102BZ

HFA3102BZ Renesas / Intersil Транзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHz 14SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Частота: 10ГГц
    • Пакет: 14SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи данных
    • Высокая надежность
    • Малый размер и компактный корпус
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует точного монтажа и настройки
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Применяется в системах связи и телекоммуникаций
    • Создание высокочастотных фильтров и усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие мобильные устройства
    • Беспроводные сети и системы
    • Телевизионные приемники
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики HFA3102BZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    6 NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    10GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • Усиление
    12.4dB ~ 17.5dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 3V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    14-SOIC
  • Base Product Number
    HFA3102

Техническая документация

 HFA3102BZ.pdf
pdf. 0 kb
  • 837 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 575 ₽
  • 10
    1 126 ₽
  • 25
    1 125 ₽
  • 100
    863 ₽
  • 250
    861 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Renesas / Intersil
  • Артикул:
    HFA3102BZ
  • Описание:
    Транзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOICВсе характеристики

Минимальная цена HFA3102BZ при покупке от 1 шт 1575.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HFA3102BZ с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HFA3102BZ

HFA3102BZ Renesas / Intersil Транзистор: RF TRANS 6 NPN 12V 10GHz 14SOIC

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Частота: 10ГГц
    • Пакет: 14SOIC
  • Плюсы:
    • Высокая скорость передачи данных
    • Высокая надежность
    • Малый размер и компактный корпус
    • Устойчивость к шумам и помехам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Требует точного монтажа и настройки
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоэлектронных устройствах
    • Применяется в системах связи и телекоммуникаций
    • Создание высокочастотных фильтров и усилителей
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и другие мобильные устройства
    • Беспроводные сети и системы
    • Телевизионные приемники
    • Автомобильные системы связи
Выбрано: Показать

Характеристики HFA3102BZ

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    6 NPN
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    12V
  • Трансформация частоты
    10GHz
  • Уровень шума (дБ при f)
    1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • Усиление
    12.4dB ~ 17.5dB
  • Рассеивание мощности
    250mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    40 @ 10mA, 3V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30mA
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    14-SOIC
  • Base Product Number
    HFA3102

Техническая документация

 HFA3102BZ.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFG425W,115Транзистор: RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
    296Кешбэк 44 балла
    BFU550WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
    95Кешбэк 14 баллов
    BFP405FH6327XTSA1Транзистор: TRANS RF NPN 4.5V 25MA TSFP-4
    65Кешбэк 9 баллов
    BFU530RТранзистор: RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
    74Кешбэк 11 баллов
    2N5770Транзистор: RF TRANS NPN 15V TO92-3
    89Кешбэк 13 баллов
    MRF448Транзистор: RF TRANS NPN 50V 211-11
    42 443Кешбэк 6 366 баллов
    MRF555TТранзистор: RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
    1 414Кешбэк 212 баллов
    BFU590QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT89-3
    174Кешбэк 26 баллов
    2SC5347AE-TD-EТранзистор: RF TRANS NPN 12V 4.7GHZ PCP
    185Кешбэк 27 баллов
    MRF314Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-07
    10 595Кешбэк 1 589 баллов
    MRF429Транзистор: TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
    20 516Кешбэк 3 077 баллов
    BFM520,115Транзистор: RF TRANS 2 NPN 8V 9GHZ 6TSSOP
    438Кешбэк 65 баллов
    2SC4713KT146RТранзистор: RF TRANS NPN 6V 800MHZ SMT3
    43Кешбэк 6 баллов
    MAX2601ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    1 877Кешбэк 281 балл
    MAX2602ESA+Транзистор: RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
    2 027Кешбэк 304 балла
    MRF393Транзистор: RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01
    29 070Кешбэк 4 360 баллов
    MRF1090MBТранзистор: RF TRANS NPN 70V 332A-03
    14 458Кешбэк 2 168 баллов
    MRF421Транзистор: TRANS RF NPN 20V 20A 211-11
    30 662Кешбэк 4 599 баллов
    BFP720H6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
    86Кешбэк 12 баллов
    BFU520WFТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3
    130Кешбэк 19 баллов
    HFA3128BZТранзистор: RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
    399Кешбэк 59 баллов
    BFU580QXТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10.5GHZ SOT89-3
    182Кешбэк 27 баллов
    2SC2714-Y(TE85L,F)Транзистор: RF TRANS NPN 30V 550MHZ SMINI
    67Кешбэк 10 баллов
    BFU520AVLТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
    54Кешбэк 8 баллов
    MRF313Транзистор: TRANS RF NPN 30V 150MA 305A-01
    7 062Кешбэк 1 059 баллов
    MRF454Транзистор: RF TRANS NPN 18V 211-11
    15 171Кешбэк 2 275 баллов
    MRF317Транзистор: TRANS RF NPN 35V 12A 316-01
    26 651Кешбэк 3 997 баллов
    MRF422Транзистор: RF TRANS NPN 35V 211-11
    25 719Кешбэк 3 857 баллов
    BFP540FESDH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 5V 30GHZ 4TSFP
    82Кешбэк 12 баллов
    PBR951,215Транзистор: RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП