HG24N60D1D

HG24N60D1D Harris Corporation Транзистор:

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Рейтинг напряжения вдоль канала (V_GS(th)): 4,5 В
• Рейтинг напряжения между дреном и эмиттером при отключенном гейте (V_DS(on)): 600 В
• Рейтинг тока (I_D(on)): 80 А
• Частота включения/выключения (f_T): 75 МГц
• Плюсы:
• Высокая частота включения/выключения для быстрого отклика
• Высокий коэффициент усиления для эффективного управления током
• Низкое сопротивление в состоянии провода
• Низкий уровень шума и помех
• Минусы:
• Высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Могут быть чувствительны к внешним электромагнитным полям
• Общее назначение:
• Использование в высокочастотных системах
• Драйверы мощных нагрузок
• Контроллеры питания
• Изоляционные трансиверы
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Системы питания серверных шкафов
• Беспроводные устройства с высокой скоростью передачи данных
• Приборы измерений и тестового оборудования