Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
;
HGT1S10N120BNST

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGT1S10N120BNST при покупке от 1 шт 965.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S10N120BNST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST onsemi — IGBT 1200В 35А 298Вт TO263AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)) — 1200В
    • Номинальная токовая способность (IQ) — 35А
    • Удельная мощность (Ptot) — 298Вт
    • Форм-фактор корпуса — TO263AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый тепловой сопротивление
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Изменение частоты и амплитуды тока
    • Переключение высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Системы управления приводами
    • Регулирующие блоки питания
    • Солнечные панели и системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S10N120BNST

Техническая документация

HGT1S10N120BNST.pdf
pdf. 0 kb
  • 651 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    965 ₽
  • 10
    642 ₽
  • 100
    459 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGT1S10N120BNST при покупке от 1 шт 965.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S10N120BNST с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST onsemi — IGBT 1200В 35А 298Вт TO263AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)) — 1200В
    • Номинальная токовая способность (IQ) — 35А
    • Удельная мощность (Ptot) — 298Вт
    • Форм-фактор корпуса — TO263AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый тепловой сопротивление
    • Простота в использовании и монтаже
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Изменение частоты и амплитуды тока
    • Переключение высоковольтных цепей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Системы управления приводами
    • Регулирующие блоки питания
    • Солнечные панели и системы энергосбережения
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S10N120BNST

Техническая документация

HGT1S10N120BNST.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории