Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
;
HGT1S12N60A4DS

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGT1S12N60A4DS при покупке от 200 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S12N60A4DS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS onsemi Транзистор: IGBT

  • Параметры:
    • Разрядная способность: 54A
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Тип канала: N-канальный
    • Конструкция: TO-2
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Способность работать при высоких температурах
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих условий
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с MOSFET
    • Требуются дополнительные компоненты для управления
    • Меньшая скорость включения/выключения по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими нагрузками
    • Переключение тока в различных приборах и системах
    • Применяются в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах для систем энергоснабжения
    • Промышленных преобразователях
    • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S12N60A4DS

  • 4000 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 200 шт
  • Количество
    Цена
  • 200
    552 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGT1S12N60A4DS при покупке от 200 шт 552.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S12N60A4DS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS onsemi Транзистор: IGBT

  • Параметры:
    • Разрядная способность: 54A
    • Номинальное напряжение: 600В
    • Тип канала: N-канальный
    • Конструкция: TO-2
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Способность работать при высоких температурах
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Эффективность в широком диапазоне рабочих условий
  • Минусы:
    • Высокие затраты на производство по сравнению с MOSFET
    • Требуются дополнительные компоненты для управления
    • Меньшая скорость включения/выключения по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими нагрузками
    • Переключение тока в различных приборах и системах
    • Применяются в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах питания
    • Инверторах для систем энергоснабжения
    • Промышленных преобразователях
    • Электроприводах
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S12N60A4DS

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 200 шт