HGT1S15N120C3

HGT1S15N120C3 Harris Corporation Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT

• Основные параметры:
• Рейтингная токовая способность (I_TOOL): 35A
• Рейтингное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEO): 1200V
• Тип канала: N-канальный
• Тип элемента: Игбт (Интегральный гетероструктурный транзистор)
• Плюсы:
• Высокая эффективность работы
• Низкое сопротивление в проводимом состоянии
• Малые потери при переключении
• Высокая надежность и долговечность
• Минимальное влияние на качество сигнала из-за низкого уровня шума
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Нужен управляющий сигнал с определенной частотой и амплитудой
• Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
• Общее назначение:
• Используется в промышленных и бытовых электронных устройствах
• При работе с переменными токами и напряжениями
• В системах управления двигателем
• В источниках питания
• В системах преобразования энергии
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания
• Электронные устройства управления потребителями
• Бытовые приборы с электронным управлением