HGT1S20N35F3VLR4505 от 308 ₽ доступно 800 шт Harris Corporation

HGT1S20N35F3VLR4505

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Harris Corporation
Артикул:
HGT1S20N35F3VLR4505
Описание:
Транзистор: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGT1S20N35F3VLR4505 при покупке от 181 шт 308.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S20N35F3VLR4505 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S20N35F3VLR4505

HGT1S20N35F3VLR4505 Harris Corporation Транзистор: Это N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

Размер тока (I_TO): 40A
Номинальное напряжение (V_CEO): 350V
Уровень скорости переключения (U_FS): 3V
Код: HGT1S20N35F3VLR4505

Основные параметры:

Размер тока (I_TO): способность транзистора передавать ток.
Номинальное напряжение (V_CEO): максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор.
Уровень скорости переключения (U_FS): характеристика, показывающая эффективность работы транзистора при переключении.

Плюсы:

Высокая мощность и низкое энергопотребление.
Высокая скорость переключения.
Устойчивость к перегреву.
Малый размер и легкость интеграции в электронные устройства.

Минусы:

Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации.
Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения стабильной работы.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих высокой мощности и скорости переключения, таких как:

Приводы двигателей
Автомобильная электроника
Инверторы
Системы управления мощностью

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S20N35F3VLR4505

800 шт
3-6 недель

Минимально и кратно 181 шт

Количество
Цена
181
308 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Harris Corporation
Артикул:
HGT1S20N35F3VLR4505
Описание:
Транзистор: 40A, 350V, UFS N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Описание HGT1S20N35F3VLR4505

HGT1S20N35F3VLR4505 Harris Corporation Транзистор: Это N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

Размер тока (I_TO): 40A
Номинальное напряжение (V_CEO): 350V
Уровень скорости переключения (U_FS): 3V
Код: HGT1S20N35F3VLR4505

Основные параметры:

Размер тока (I_TO): способность транзистора передавать ток.
Номинальное напряжение (V_CEO): максимальное напряжение, которое может выдерживать транзистор.
Уровень скорости переключения (U_FS): характеристика, показывающая эффективность работы транзистора при переключении.

Плюсы:

Высокая мощность и низкое энергопотребление.
Высокая скорость переключения.
Устойчивость к перегреву.
Малый размер и легкость интеграции в электронные устройства.

Минусы:

Существует риск повреждения при неправильной эксплуатации.
Требуется дополнительное охлаждение для обеспечения стабильной работы.

Приводы двигателей
Автомобильная электроника
Инверторы
Системы управления мощностью

Выбрать все

Выбрано: Показать

HGT1S20N35F3VLR4505

HGT1S20N35F3VLR4505

Описание HGT1S20N35F3VLR4505

Характеристики HGT1S20N35F3VLR4505

Описание HGT1S20N35F3VLR4505

Характеристики HGT1S20N35F3VLR4505

Похожие товары

Похожие категории