Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN
;
HGT1S2N120CN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGT1S2N120CN при покупке от 157 шт 354.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S2N120CN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN Fairchild Semiconductor Транзистор: N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 1200 В
    • Предел тока коллектора (ICKM): 120 А
    • Предел тока эмиттера (IEMAX): 120 А
    • Частота оператора (fT): до 30 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Хорошая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Удобство управления благодаря низкому напряжению на вводе
  • Минусы:
    • Существенное увеличение размеров по сравнению с MOSFET
    • Замедленная скорость переключения из-за индуктивности
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании устройств
    • Контроль мощности в промышленных установках
    • Переключение больших токов в системах управления двигателей
    • Использование в источниках питания для электроники
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S2N120CN

Техническая документация

HGT1S2N120CN.pdf
pdf. 0 kb
  • 87688 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 157 шт
  • Количество
    Цена
  • 157
    354 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGT1S2N120CN при покупке от 157 шт 354.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S2N120CN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN Fairchild Semiconductor Транзистор: N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VCEO): 1200 В
    • Предел тока коллектора (ICKM): 120 А
    • Предел тока эмиттера (IEMAX): 120 А
    • Частота оператора (fT): до 30 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Хорошая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Удобство управления благодаря низкому напряжению на вводе
  • Минусы:
    • Существенное увеличение размеров по сравнению с MOSFET
    • Замедленная скорость переключения из-за индуктивности
    • Требуется дополнительное охлаждение
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения и тока в электропитании устройств
    • Контроль мощности в промышленных установках
    • Переключение больших токов в системах управления двигателей
    • Использование в источниках питания для электроники
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Системы управления электродвигателями
    • Источники питания для различных устройств
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S2N120CN

Техническая документация

HGT1S2N120CN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 157 шт