Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A
;
HGT1S3N60A4DS9A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGT1S3N60A4DS9A при покупке от 176 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S3N60A4DS9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor Транзистор: N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Мощность: 60 A
    • Номинальное напряжение: 1200 V
    • Тип: N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Долгий срок службы из-за отсутствия износа электронных каналов
    • Малый ток утечки
    • Удобство управления благодаря структуре MOSFET
  • Минусы:
    • Существует риск выгорания при неудачном управлении
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших мощностей
    • Сложность в проектировании и изготовлении
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями в различных приложениях
    • Эффективное преобразование напряжений и мощности
    • Оптимизация энергоэффективности в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S3N60A4DS9A

  • 4713 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 176 шт
  • Количество
    Цена
  • 176
    317 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGT1S3N60A4DS9A при покупке от 176 шт 317.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S3N60A4DS9A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A Fairchild Semiconductor Транзистор: N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Мощность: 60 A
    • Номинальное напряжение: 1200 V
    • Тип: N-канальный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменными нагрузками
    • Долгий срок службы из-за отсутствия износа электронных каналов
    • Малый ток утечки
    • Удобство управления благодаря структуре MOSFET
  • Минусы:
    • Существует риск выгорания при неудачном управлении
    • Требуется дополнительное охлаждение для больших мощностей
    • Сложность в проектировании и изготовлении
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями в различных приложениях
    • Эффективное преобразование напряжений и мощности
    • Оптимизация энергоэффективности в промышленных и бытовых приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Промышленное оборудование
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Приводы двигателей
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S3N60A4DS9A

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 176 шт