Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGT1S3N60C3DS

HGT1S3N60C3DS

HGT1S3N60C3DS
;
HGT1S3N60C3DS

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGT1S3N60C3DS при покупке от 268 шт 207.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S3N60C3DS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S3N60C3DS

HGT1S3N60C3DS Harris Corporation Транзистор: 6A, 600В, N-канальный IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (IR): 6 А
    • Рейтингное напряжение блокировки (VR): 600 В
    • Тип канала: N-канальный
    • Тип элемента: Игбт (Инжекционно-переносной гетероустойчивый транзистор)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и высоких частотах
    • Низкое значение тока течения в открытом состоянии (leakage current)
    • Устойчивость к перегреву и переносимость тепла
    • Малый размер и легкость в интеграции с другими компонентами
  • Минусы:
    • Стоимость по сравнению с традиционными транзисторами может быть выше
    • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного повышения температуры
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных системах
    • Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
    • Применяется в промышленном оборудовании, солнечных панелях, электромобилях
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для преобразования напряжения
    • Приводы для двигателей
    • Системы управления электропитанием
    • Электромобильные системы питания
    • Солнечные энергетические системы
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S3N60C3DS

  • 585 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 268 шт
  • Количество
    Цена
  • 268
    207 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGT1S3N60C3DS при покупке от 268 шт 207.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGT1S3N60C3DS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGT1S3N60C3DS

HGT1S3N60C3DS Harris Corporation Транзистор: 6A, 600В, N-канальный IGBT

  • Основные параметры:
    • Рейтингная токовая способность (IR): 6 А
    • Рейтингное напряжение блокировки (VR): 600 В
    • Тип канала: N-канальный
    • Тип элемента: Игбт (Инжекционно-переносной гетероустойчивый транзистор)
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в средних и высоких частотах
    • Низкое значение тока течения в открытом состоянии (leakage current)
    • Устойчивость к перегреву и переносимость тепла
    • Малый размер и легкость в интеграции с другими компонентами
  • Минусы:
    • Стоимость по сравнению с традиционными транзисторами может быть выше
    • Требуется более сложная система охлаждения из-за возможного повышения температуры
  • Общее назначение:
    • Контроль мощности в электронных системах
    • Переключение высоковольтных и высокотоковых цепей
    • Применяется в промышленном оборудовании, солнечных панелях, электромобилях
  • В каких устройствах применяется:
    • Инверторы для преобразования напряжения
    • Приводы для двигателей
    • Системы управления электропитанием
    • Электромобильные системы питания
    • Солнечные энергетические системы
Выбрано: Показать

Характеристики HGT1S3N60C3DS

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 268 шт