Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
HGTD8P50G1
HGTD8P50G1

HGTD8P50G1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTD8P50G1
  • Описание:
    Транзистор: 8A, 500V P-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTD8P50G1 при покупке от 224 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTD8P50G1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTD8P50G1

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    12 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    18 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    66 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    30 nC
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • В избранное
  • В сравнение
  • 23024 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 224
    248 ₽

Минимально и кратно 224 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTD8P50G1
  • Описание:
    Транзистор: 8A, 500V P-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTD8P50G1 при покупке от 224 шт 248.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTD8P50G1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTD8P50G1

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    12 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    18 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 8A
  • Рассеивание мощности
    66 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    30 nC
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Исполнение корпуса
    I-PAK

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП