Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

HGTG10N120BND
;
HGTG10N120BND

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGTG10N120BND при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG10N120BND с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG10N120BND

HGTG10N120BND onsemi Транзистор: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
    • Номинальный ток проводимости (ITO): 35 А
    • Тип: IGBT NPT (N-Поверхностно-транспортный)
    • Монтажный корпус: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Необходимо наличие дополнительного оборудования для управления
    • Требует внимания при проектировании системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в системах преобразования напряжения и частоты (ВЧИ)
    • Применение в инверторах для приводов двигателей
    • Использование в источниках питания
    • Работа в системах управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных электронных системах
    • Промышленных приводах и моторах
    • Системах энергоснабжения
    • Аппаратура для управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG10N120BND

Техническая документация

HGTG10N120BND.pdf
pdf. 0 kb
  • 9072 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    932 ₽
  • 30
    521 ₽
  • 120
    430 ₽
  • 510
    364 ₽
  • 1020
    341 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGTG10N120BND при покупке от 1 шт 932.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG10N120BND с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG10N120BND

HGTG10N120BND onsemi Транзистор: IGBT NPT 1200V 35A TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
    • Номинальный ток проводимости (ITO): 35 А
    • Тип: IGBT NPT (N-Поверхностно-транспортный)
    • Монтажный корпус: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Высокая надежность и долгий срок службы
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными транзисторами
    • Необходимо наличие дополнительного оборудования для управления
    • Требует внимания при проектировании системы охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в системах преобразования напряжения и частоты (ВЧИ)
    • Применение в инверторах для приводов двигателей
    • Использование в источниках питания
    • Работа в системах управления нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных электронных системах
    • Промышленных приводах и моторах
    • Системах энергоснабжения
    • Аппаратура для управления мощностью
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG10N120BND

Техническая документация

HGTG10N120BND.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории