Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
HGTG20N60C3R
HGTG20N60C3R

HGTG20N60C3R

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTG20N60C3R
  • Описание:
    Транзистор: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTG20N60C3R при покупке от 130 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG20N60C3R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTG20N60C3R

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
    Коллекторный ток (Icm) 80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 20A
    Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    164 W
    Рассеивание мощности 164 W
  • Тип входа
    Standard
    Тип входа Standard
  • Заряд затвора
    116 nC
    Заряд затвора 116 nC
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
    Исполнение корпуса TO-247
  • В избранное
  • В сравнение
  • 4575 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 130
    428 ₽

Минимально и кратно 130 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTG20N60C3R
  • Описание:
    Транзистор: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTG20N60C3R при покупке от 130 шт 428.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG20N60C3R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTG20N60C3R

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
    Напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
    Максимальный Ток Коллектора (Ic) 40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
    Коллекторный ток (Icm) 80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 20A
    Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    164 W
    Рассеивание мощности 164 W
  • Тип входа
    Standard
    Тип входа Standard
  • Заряд затвора
    116 nC
    Заряд затвора 116 nC
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
    Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
    Исполнение корпуса TO-247

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    HGTG30N60B3_NLТранзистор: IGBT, 60A, 600V, N-CHANNEL
    IGTH20N40ADТранзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    MGW14N60EDТранзистор: IGBT, 18A, 600V, N-CHANNEL
    FGD3325G2-F085IGBT 300V DPAK
    FGH75T65UPD-F085IGBT 650V 150A 375W TO-247AB
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    HGTG12N60D1DТранзистор: UFS SERIES N-CHANNEL IGBT
    FGHL75T65MQDТранзистор: IGBT 650V 75A TO247
    HGT1S12N60B3Транзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    IKZA75N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    RJH30E3DPK-M2#T2Транзистор: IGBT
    IKW50N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    HGT1S12N60B3DТранзистор: 27A, 600V, N-CHANNEL IGBT
    NGTB40N120FL3WGТранзистор: IGBT 1200V 160A TO247
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    AIKB15N65DF5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    IXYX25N250CV1HVТранзистор: IGBT 2500V 235A PLUS247
    RJP43F4ADPP-90#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    AIKB20N60CTATMA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO263-3
    FGY120T65SPD-F085IGBT 650V 240A 882W TO-247

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП