Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

HGTG27N120BN
;
HGTG27N120BN

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor Corp
  • Артикул:
    HGTG27N120BN
  • Описание:
    Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOВсе характеристики

Минимальная цена HGTG27N120BN при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG27N120BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG27N120BN

HGTG27N120BN Fairchild Semiconductor Corp Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on)): 1200 В
    • Максимальная ток коллектора (IC(max)): 27 А
    • Максимальная частота операции: до 5 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменным током
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень потерь энергии при работе
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Сложность в управлении по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В приводах для электродвигателей
    • В системах управления электропитанием
    • В солнечных панелях для преобразования прямого тока в переменный
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Драйверы двигателей
    • Энергосберегающие системы
    • Автомобильные системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG27N120BN

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    72 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    216 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 27A
  • Рассеивание мощности
    500 W
  • Энергия переключения
    2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    270 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/195ns
  • Условие испытаний
    960V, 27A, 3Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    HGTG27

Техническая документация

HGTG27N120BN.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 3 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor Corp
  • Артикул:
    HGTG27N120BN
  • Описание:
    Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOВсе характеристики

Минимальная цена HGTG27N120BN при покупке от 3 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG27N120BN с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG27N120BN

HGTG27N120BN Fairchild Semiconductor Corp Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (VCE(on)): 1200 В
    • Максимальная ток коллектора (IC(max)): 27 А
    • Максимальная частота операции: до 5 кГц
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с переменным током
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Низкий уровень потерь энергии при работе
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Сложность в управлении по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных преобразователях частоты
    • В приводах для электродвигателей
    • В системах управления электропитанием
    • В солнечных панелях для преобразования прямого тока в переменный
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные преобразователи
    • Драйверы двигателей
    • Энергосберегающие системы
    • Автомобильные системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG27N120BN

  • Тип IGBT
    NPT
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    72 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    216 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 27A
  • Рассеивание мощности
    500 W
  • Энергия переключения
    2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    270 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    24ns/195ns
  • Условие испытаний
    960V, 27A, 3Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    HGTG27

Техническая документация

HGTG27N120BN.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 3 шт