Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HGTG32N60E2

HGTG32N60E2

HGTG32N60E2
;
HGTG32N60E2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HGTG32N60E2 при покупке от 40 шт 1391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG32N60E2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG32N60E2

HGTG32N60E2 Harris Corporation Транзистор: 50A, 600V N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Разрядная токовая способность (RDS(ON)) - 3.2 mΩ
    • Максимальное напряжение обратного сечения - 600В
    • Ток разряда - 50А
    • Тип - N-канальный IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме управления
    • Низкое сопротивление в режиме проводимости
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при переключении
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
    • Ограниченная теплопроводность по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленной автоматизации и промышленном оборудовании
    • Служит в источниках питания для различных устройств
    • Применяется в системах электротранспорта
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG32N60E2

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 32A
  • Рассеивание мощности
    208 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    265 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • 2969 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 40 шт
  • Количество
    Цена
  • 40
    1 391 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HGTG32N60E2 при покупке от 40 шт 1391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG32N60E2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HGTG32N60E2

HGTG32N60E2 Harris Corporation Транзистор: 50A, 600V N-CHANNEL IGBT

  • Основные параметры:
    • Разрядная токовая способность (RDS(ON)) - 3.2 mΩ
    • Максимальное напряжение обратного сечения - 600В
    • Ток разряда - 50А
    • Тип - N-канальный IGBT
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в режиме управления
    • Низкое сопротивление в режиме проводимости
    • Устойчивость к перегрузкам
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокие потери при переключении
    • Необходимость дополнительных компонентов для защиты
    • Ограниченная теплопроводность по сравнению с MOSFET
  • Общее назначение:
    • Применяется в системах управления двигателей
    • Используется в промышленной автоматизации и промышленном оборудовании
    • Служит в источниках питания для различных устройств
    • Применяется в системах электротранспорта
Выбрано: Показать

Характеристики HGTG32N60E2

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.9V @ 15V, 32A
  • Рассеивание мощности
    208 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    265 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 40 шт