Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
HGTG40N60C3R
HGTG40N60C3R

HGTG40N60C3R

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTG40N60C3R
  • Описание:
    Транзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTG40N60C3R при покупке от 38 шт 1497.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG40N60C3R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTG40N60C3R

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    75 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    291 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    330 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247
  • В избранное
  • В сравнение
  • 45 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 38
    1 497 ₽

Минимально и кратно 38 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTG40N60C3R
  • Описание:
    Транзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTG40N60C3R при покупке от 38 шт 1497.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTG40N60C3R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTG40N60C3R

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    75 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    200 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    291 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    330 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXYK140N120A4Транзистор: IGBT 140A 1200V TO264
    8 323Кешбэк 1 248 баллов
    STGB25N40LZAGТранзистор: POWER TRANSISTORS
    490Кешбэк 73 балла
    MGP15N60UТранзистор: IGBT, 26A, 600V, N-CHANNEL
    231Кешбэк 34 балла
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 288Кешбэк 193 балла
    RGS00TS65EHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 830Кешбэк 274 балла
    RGS80TS65DHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 744Кешбэк 261 балл
    NGB8206NT4GТранзистор: IGBT 390V 20A D2PAK
    274Кешбэк 41 балл
    HGT1S7N60C3DТранзистор: IGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
    227Кешбэк 34 балла
    FGD3040G2-F085FGD3040G2_F085 - ECOSPARK2 IGN-I
    441Кешбэк 66 баллов
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    608Кешбэк 91 балл
    ISL9V5045S3ST-F085CТранзистор: ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263
    642Кешбэк 96 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    689Кешбэк 103 балла
    IKA10N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT 650V 15A TO220-3
    594Кешбэк 89 баллов
    IXYH55N120A4Транзистор: IGBT GENX4 1200V 55A TO247
    2 197Кешбэк 329 баллов
    FGD1240G2Транзистор: IGBT 600V DPAK-3
    547Кешбэк 82 балла
    RGT30NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    AUIRG4PC40S-EТранзистор: IGBT 600V 60A 160W TO247
    1 279Кешбэк 191 балл
    IXYT30N450HVТранзистор: IGBT
    10 017Кешбэк 1 502 балла
    IKB15N65EH5ATMA1Транзистор: INDUSTRY 14
    551Кешбэк 82 балла
    IKP20N60H3XKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 170W TO220-3
    565Кешбэк 84 балла
    IKD15N60RC2ATMA1Транзистор: IKD15N60RC2ATMA1
    226Кешбэк 33 балла
    IKW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    1 109Кешбэк 166 баллов
    FGHL50T65SQDTТранзистор: IGBT, 650 V, 50 A FIELD STOP TRE
    1 082Кешбэк 162 балла
    IXYN110N120A4Транзистор: IGBT 1200V 110A GNX4 XPT SOT227B
    6 548Кешбэк 982 балла
    FGHL75T65MQDTТранзистор: FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24
    1 323Кешбэк 198 баллов
    HGTG15N120C3Транзистор: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT
    772Кешбэк 115 баллов
    AIKB15N65DF5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    897Кешбэк 134 балла
    RJH30E2DPP-00#T2Транзистор: IGBT
    380Кешбэк 57 баллов
    AFGY100T65SPDТранзистор: IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
    2 358Кешбэк 353 балла
    AIKQ120N60CTXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
    2 757Кешбэк 413 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП