Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
HGTP10N50E1D
HGTP10N50E1D

HGTP10N50E1D

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTP10N50E1D
  • Описание:
    Транзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP10N50E1D при покупке от 84 шт 692.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP10N50E1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTP10N50E1D

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    17.5 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.2V @ 20V, 17.5A
  • Рассеивание мощности
    75 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    19 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3712 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 84
    692 ₽

Минимально и кратно 84 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Harris Corporation
  • Артикул:
    HGTP10N50E1D
  • Описание:
    Транзистор: 17.5A, 500V, N-CHANNEL IGBTВсе характеристики

Минимальная цена HGTP10N50E1D при покупке от 84 шт 692.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HGTP10N50E1D с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики HGTP10N50E1D

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    500 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    17.5 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.2V @ 20V, 17.5A
  • Рассеивание мощности
    75 W
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    19 nC
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    TO-220

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKQ40N120CT2XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247-3
    1 660Кешбэк 249 баллов
    IKFW50N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW50N65ES5XKSA1
    1 465Кешбэк 219 баллов
    FGPF70N30TRDTUТранзистор: 300V, 70A PDP IGBT
    329Кешбэк 49 баллов
    MGP20N14CLТранзистор: IGBT, 20A, 135V, N-CHANNEL
    120Кешбэк 18 баллов
    IXYP60N65A5Транзистор: IGBT 650V 60A X5 XPT TO-220
    1 100Кешбэк 165 баллов
    FGD2736G3-F085VТранзистор: IGBT ECOSPARK1 IGN TO252
    184Кешбэк 27 баллов
    FGH40T65UQDF-F155Транзистор: FS4TIGBT TO247 40A 650V
    502Кешбэк 75 баллов
    FGPF50N33BTTUТранзистор: IGBT, 50A, 330V, N-CHANNEL, TO-2
    205Кешбэк 30 баллов
    HGTP7N60C3Транзистор: 14A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL
    217Кешбэк 32 балла
    IKY50N120CH3XKSA1Транзистор: IGBT 1200V 100A TO247-4
    1 871Кешбэк 280 баллов
    HGTP20N35G3VLТранзистор: IGBT, 20A, 320V, N-CHANNEL
    327Кешбэк 49 баллов
    RJP43F4ADPP-90#T2FТранзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV
    440Кешбэк 66 баллов
    IKW40N65ET7XKSA1Транзистор: IKW40N65ET7XKSA1
    825Кешбэк 123 балла
    IHW40N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    856Кешбэк 128 баллов
    IKFW60N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW60N65ES5XKSA1
    1 329Кешбэк 199 баллов
    AFGHL40T65SPDТранзистор: FS3 T TO247 40A 650V AUTO
    975Кешбэк 146 баллов
    IXYH10N170CV1Транзистор: IGBT 1.7KV 36A TO247
    2 718Кешбэк 407 баллов
    HGTG20N50C1DТранзистор: 26A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    1 403Кешбэк 210 баллов
    IHW40N65R6XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14 PG-TO247-3
    618Кешбэк 92 балла
    AFGHL75T65SQDТранзистор: 650V75A FS4 IGBT TO-247LL
    1 546Кешбэк 231 балл
    IKD06N60RC2ATMA1Транзистор: IKD06N60RC2ATMA1
    236Кешбэк 35 баллов
    NGTB25N120FL3WGТранзистор: IGBT 1200V 100A TO247
    1 467Кешбэк 220 баллов
    IKY40N120CS6XKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 1200V 80A TO247
    1 209Кешбэк 181 балл
    HGTP15N50C1Транзистор: 15A, 500V, N-CHANNEL IGBT
    794Кешбэк 119 баллов
    IKFW40N60DH3EXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 34A TO247-3
    986Кешбэк 147 баллов
    AIKW20N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 224Кешбэк 183 балла
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    585Кешбэк 87 баллов
    IKA10N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT 650V 15A TO220-3
    608Кешбэк 91 балл
    RJH30E3DPK-M0#T2Транзистор: IGBT
    738Кешбэк 110 баллов
    IGB15N65S5ATMA1Транзистор: IGBT PRODUCTS
    415Кешбэк 62 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП