Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B,LF
;
HN1C03FU-B,LF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена HN1C03FU-B,LF при покупке от 1 шт 61.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN1C03FU-B,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

  • Основные параметры:
    • VCEO = 20 В
    • IC = 150 mA
    • hFE (min) = 40
    • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокое значение VCEO
    • Низкое энергопотребление
    • Высокий коэффициент усиления hFE
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными моделями
    • Требуются дополнительные компоненты для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Увеличение тока или напряжения сигнала
    • Контроль электрических цепей
    • Изменение состояния нагрузки при изменении входного сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы управления
    • Радиоприемники и передатчики
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики HN1C03FU-B,LF

Техническая документация

HN1C03FU-B,LF.pdf
pdf. 0 kb
  • 2992 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    61 ₽
  • 100
    23.5 ₽
  • 1000
    15.4 ₽
  • 6000
    11.1 ₽
  • 24000
    9 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена HN1C03FU-B,LF при покупке от 1 шт 61.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN1C03FU-B,LF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN1C03FU-B,LF

HN1C03FU-B, LF Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20

  • Основные параметры:
    • VCEO = 20 В
    • IC = 150 mA
    • hFE (min) = 40
    • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокое значение VCEO
    • Низкое энергопотребление
    • Высокий коэффициент усиления hFE
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с аналогичными моделями
    • Требуются дополнительные компоненты для стабилизации
  • Общее назначение:
    • Увеличение тока или напряжения сигнала
    • Контроль электрических цепей
    • Изменение состояния нагрузки при изменении входного сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы управления
    • Радиоприемники и передатчики
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики HN1C03FU-B,LF

Техническая документация

HN1C03FU-B,LF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории