Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
HN4C51J(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F)
;
HN4C51J(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    HN4C51J(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMVВсе характеристики

Минимальная цена HN4C51J(TE85L,F) при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN4C51J(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 120В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Монтаж: SMV (Surface Mounting)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Toshiba
    • Устойчивость к переносу напряжения
    • Экономичное использование места благодаря Surface Mounting технологии
  • Минусы:
    • Средний ток может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Необходимо соблюдать температурные ограничения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Импульсная обработка
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики HN4C51J(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual) Common Base
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    120V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74A, SOT-753
  • Исполнение корпуса
    SMV
  • Base Product Number
    HN4C51

Техническая документация

 HN4C51J(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 6099 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    107 ₽
  • 100
    42.4 ₽
  • 1000
    28.3 ₽
  • 6000
    21.5 ₽
  • 24000
    17.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    HN4C51J(TE85L,F)
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMVВсе характеристики

Минимальная цена HN4C51J(TE85L,F) при покупке от 1 шт 107.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HN4C51J(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Транзистор: TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV

  • Основные параметры:
    • Тип: 2NPN
    • Номинальное напряжение: 120В
    • Номинальный ток: 0.1А
    • Монтаж: SMV (Surface Mounting)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря производителю Toshiba
    • Устойчивость к переносу напряжения
    • Экономичное использование места благодаря Surface Mounting технологии
  • Минусы:
    • Средний ток может быть недостаточным для некоторых приложений
    • Необходимо соблюдать температурные ограничения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Импульсная обработка
    • Регулирование напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие цифровые устройства
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики HN4C51J(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual) Common Base
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    120V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    100nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    300mW
  • Трансформация частоты
    100MHz
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74A, SOT-753
  • Исполнение корпуса
    SMV
  • Base Product Number
    HN4C51

Техническая документация

 HN4C51J(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ULN2004AIDRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ULQ2004ADRМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    213Кешбэк 31 балл
    ULQ2004ATDRG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULN2003AIDRG4Микросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    217Кешбэк 32 балла
    ULN2004AINSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    224Кешбэк 33 балла
    ULQ2003AQDRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    228Кешбэк 34 балла
    ULN2004AIDМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC
    232Кешбэк 34 балла
    ULN2003AIDRМикросхема: IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOIC
    233Кешбэк 34 балла
    ULQ2004ANМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16DIP
    241Кешбэк 36 баллов
    ULN2003AINSRМикросхема: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
    245Кешбэк 36 баллов
    SN75468DТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    265Кешбэк 39 баллов
    ULQ2003ATPWRQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16TSSOP
    293Кешбэк 43 балла
    SN75468DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    300Кешбэк 45 баллов
    SN75469DRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SOIC
    309Кешбэк 46 баллов
    SN75468NТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16DIP
    312Кешбэк 46 баллов
    SN75468NE4Транзистор: SN75468 HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRE
    328Кешбэк 49 баллов
    ULQ2003ATDQ1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    328Кешбэк 49 баллов
    ULQ2003ATDG4Q1Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    339Кешбэк 50 баллов
    ULQ2003ADG4Микросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    356Кешбэк 53 балла
    SN75469NТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16DIP
    361Кешбэк 54 балла
    ULQ2004ADМикросхема: IC PWR DRIVER NPN 1:1 16SOIC
    378Кешбэк 56 баллов
    SN75469DТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    378Кешбэк 56 баллов
    SN75468NSRТранзистор: TRANS 7NPN DARL 100V 0.5A 16SO
    530Кешбэк 79 баллов
    MMDT3904V-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4401-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT4403-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.6A SOT363
    69Кешбэк 10 баллов
    MMDT3906-TPТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
    74Кешбэк 11 баллов
    MMDT3904-TPТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    74Кешбэк 11 баллов
    HN1A01FU-GR,LFТранзистор
    43Кешбэк 6 баллов
    HN1A01FU-Y,LFТранзистор: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6
    43Кешбэк 6 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП