HP8M51TB1

HP8M51TB1 ROHM Semiconductor Транзистор:

• Описание: Это полупроводниковый транзистор с низким сопротивлением в "включённом" состоянии.
• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение включения (V_GS(th)): ≤ 2 V
  • Номинальная частота работы (f_T): ≥ 100 MHz
  • Максимальное напряжение междуCollector и Emitter (V_CE(max)): 60 V
  • Максимальный ток Collector (I_C(max)): 40 A
  • Максимальное ток Gate (I_G(max)): 30 mA
• Плюсы:
  • Низкое сопротивление в "включённом" состоянии обеспечивает эффективное использование энергии.
  • Высокая частота работы позволяет использовать его в современных цифровых и микросхемах.
  • Высокие значения тока позволяют использовать его в мощных приложениях.
• Минусы:
  • Низкое сопротивление в "включённом" состоянии может привести к увеличению тепловыделения при высоких нагрузках.
  • Требуется точное регулирование напряжения питания для предотвращения повреждения.
• Общее назначение: Используется в различных приложениях, требующих высокую скорость и мощность, таких как цифровые системы управления, промышленные контроллеры, телекоммуникационные устройства и бытовая электроника.
• Применение:
  • Цифровые системы управления и автоматизации
  • Промышленные контроллеры и приводы
  • Телекоммуникационные устройства
  • Бытовая электроника