Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
HS5G V7G
  • В избранное
  • В сравнение
HS5G V7G

HS5G V7G

HS5G V7G
;
HS5G V7G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    HS5G V7G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 5A DO214ABВсе характеристики

Минимальная цена HS5G V7G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HS5G V7G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HS5G V7G

HS5G V7G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 5А
    • Форма корпуса: DO214AB
    • Тип: Общего назначения
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Прочность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средний уровень тока
    • Не предназначено для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контакторы и реле
    • Инверторы и преобразователи
    • Промышленные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики HS5G V7G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    80pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Исполнение корпуса
    DO-214AB (SMC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    HS5G

Техническая документация

 HS5G V7G.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Taiwan Semiconductor Corporation
  • Артикул:
    HS5G V7G
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 400V 5A DO214ABВсе характеристики

Минимальная цена HS5G V7G при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HS5G V7G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HS5G V7G

HS5G V7G Taiwan Semiconductor Corporation DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 400В
    • Номинальный ток: 5А
    • Форма корпуса: DO214AB
    • Тип: Общего назначения
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Прочность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Средний уровень тока
    • Не предназначено для высокочастотных приложений
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Контакторы и реле
    • Инверторы и преобразователи
    • Промышленные приборы
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Инверторы питания
    • Промышленное оборудование
    • Электроприборы
Выбрано: Показать

Характеристики HS5G V7G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    400 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    5A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.3 V @ 5 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    50 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    10 µA @ 400 V
  • Емкость @ Vr, F
    80pF @ 4V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    DO-214AB, SMC
  • Исполнение корпуса
    DO-214AB (SMC)
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 150°C
  • Base Product Number
    HS5G

Техническая документация

 HS5G V7G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RB168LAM150TRДиод: DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDTM
    83Кешбэк 12 баллов
    RB168MM-60TFTRДиод: RB168MM-60TF IS THE HIGH RELIABI
    99Кешбэк 14 баллов
    RB068LAM150TFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    102Кешбэк 15 баллов
    RF101LAM4STFTRДиод: RF101LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    98Кешбэк 14 баллов
    RB530VM-30FHTE-17Диод: DIODE (RECTIFIER FRD) 30V-VRM 30
    61Кешбэк 9 баллов
    RBR3LAM40CTFTRДиод: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    98Кешбэк 14 баллов
    RB451UMFHTLRB451UMFH IS THE HIGH RELIABILIT
    126Кешбэк 18 баллов
    RB520VM-30FHTE-17Диод: RB520VM-30FH IS LOW V F
    50Кешбэк 7 баллов
    RF101L4STFTE25Диод: FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168MM-40TFTRДиод: RB168MM-40TF IS THE HIGH RELIABI
    97Кешбэк 14 баллов
    RF505BM6STLДиод: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252
    300Кешбэк 45 баллов
    RB068LAM-30TRDIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM
    119Кешбэк 17 баллов
    RF301BGE2STLDIODE GEN PURP 200V 3A TO252GE
    187Кешбэк 28 баллов
    RBS3LAM40ATRRBS3LAM40A IS SUPER LOW VF<
    113Кешбэк 16 баллов
    RF201L4SDDTE25FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q101 QU
    156Кешбэк 23 балла
    RF302LAM2STRДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODE : RF30
    176Кешбэк 26 баллов
    BAT54HMT116BAT54HM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    46Кешбэк 6 баллов
    RB068VWM-60TFTR60V, 2A, SINGLE, PMDE, ULTRA LOW
    102Кешбэк 15 баллов
    RB060MM-30TFTRДиод: RB060MM-30TF IS THE HIGH RELIABI
    130Кешбэк 19 баллов
    RB075BM40SFHTLSCHOTTKY BARRIER DIODE
    165Кешбэк 24 балла
    RB168L100DDTE25SUPER LOW IR TYPE AUTOMOTIVE SCH
    126Кешбэк 18 баллов
    RF071LAM4STFTRRF071LAM4STF IS THE HIGH RELIABI
    70Кешбэк 10 баллов
    RB451UMTLДиод: RB451UM IS SCHOTTKY BARRIER DIOD
    91Кешбэк 13 баллов
    RSX301LAM30TFTRAUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
    137Кешбэк 20 баллов
    RFN5BM6SFHTLSUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE
    200Кешбэк 30 баллов
    RBS3LAM40CTRDIODE SCHOTTKY PMDTM
    113Кешбэк 16 баллов
    RB168VWM100TR100V, 1A, SINGLE, PMDE, ULTRA LO
    128Кешбэк 19 баллов
    RFN1LAM6STRДиод: DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
    76Кешбэк 11 баллов
    RF202LAM2STFTRSUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q
    115Кешбэк 17 баллов
    RF505BM6SFHTLДиод: SUPER FAST RECOVERY DIODES
    324Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды силовые
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП