Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
HS8K1TB
  • В избранное
  • В сравнение
HS8K1TB

HS8K1TB

HS8K1TB
;
HS8K1TB

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    HS8K1TB
  • Описание:
    Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена HS8K1TB при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HS8K1TB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HS8K1TB

HS8K1TB ROHM Semiconductor Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 30 В
    • Ток нагрузки (ID): 8 кА
    • Коэффициент передачи: более 250
    • Управляемое напряжение (VG): не более 20 В
    • Температурный коэффициент сопротивления: низкий
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое сопротивление при открытом канале
    • Низкое энергетическое затратное сопротивление
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
    • Возможны проблемы с шумами при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Изменение тока нагрузки
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение энергетических потерь в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления
    • Электроника промышленного оборудования
    • Беспроводные устройства
    • Энергоэффективные преобразователи
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики HS8K1TB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 11A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    348pF @ 15V, 429pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-UDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    HSML3030L10
  • Base Product Number
    HS8K1

Техническая документация

 HS8K1TB.pdf
pdf. 0 kb
  • 4235 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    217 ₽
  • 10
    144 ₽
  • 500
    75 ₽
  • 3000
    59 ₽
  • 9000
    51 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    HS8K1TB
  • Описание:
    Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFETВсе характеристики

Минимальная цена HS8K1TB при покупке от 1 шт 217.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить HS8K1TB с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание HS8K1TB

HS8K1TB ROHM Semiconductor Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 30 В
    • Ток нагрузки (ID): 8 кА
    • Коэффициент передачи: более 250
    • Управляемое напряжение (VG): не более 20 В
    • Температурный коэффициент сопротивления: низкий
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме насыщения
    • Низкое сопротивление при открытом канале
    • Низкое энергетическое затратное сопротивление
    • Малый размер и легкость
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная защита от перегрева
    • Необходимо учитывать влияние температуры на характеристики
    • Возможны проблемы с шумами при работе в высокочастотном диапазоне
  • Общее назначение:
    • Изменение тока нагрузки
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Уменьшение энергетических потерь в электрических цепях
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы управления
    • Электроника промышленного оборудования
    • Беспроводные устройства
    • Энергоэффективные преобразователи
    • Системы управления двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики HS8K1TB

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta), 11A (Ta)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6mOhm @ 10A, 10V, 11.8mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 10V, 7.4nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    348pF @ 15V, 429pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-UDFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    HSML3030L10
  • Base Product Number
    HS8K1

Техническая документация

 HS8K1TB.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    QH8KA4TCRТранзистор: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
    295Кешбэк 44 балла
    UT6JB5TCRТранзистор: -40V DUAL PCH+PCH, DFN2020, POWE
    220Кешбэк 33 балла
    HS8K1TBТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    219Кешбэк 32 балла
    HP8M31TB1Транзистор: HP8M31TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    539Кешбэк 80 баллов
    QH8MC5TCRТранзистор: 60V 3.0A/3.5A, DUAL NCH+PCH, TSM
    265Кешбэк 39 баллов
    SH8MA4TB1Транзистор: SH8MA4TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    228Кешбэк 34 балла
    UT6K3TCRТранзистор: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
    139Кешбэк 20 баллов
    SP8M51HZGTBТранзистор: AUTOMOTIVE 100V NCH+PCH POWER MO
    434Кешбэк 65 баллов
    QH8JB5TCRТранзистор: -40V DUAL PCH+PCH SMALL SIGNAL M
    304Кешбэк 45 баллов
    UT6K30TCRТранзистор: UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN
    289Кешбэк 43 балла
    QH8KB5TCRТранзистор: 40V 4.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S
    207Кешбэк 31 балл
    QH8KA2TCRТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    SH8KA7GZETBТранзистор: SH8KA7 IS LOW ON-RESISTANCE AND
    480Кешбэк 72 балла
    SH8KA2TB1Транзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET. SH8KA2
    232Кешбэк 34 балла
    SH8KB6TB1Транзистор: 40V 8.5A DUAL NCH+NCH, SOP8, POW
    263Кешбэк 39 баллов
    SH8M51GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. SH8M51
    311Кешбэк 46 баллов
    SH8MA2GZETBТранзистор: SH8MA2 IS A POWER MOSFET WITH LO
    165Кешбэк 24 балла
    SH8K39GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K39
    450Кешбэк 67 баллов
    HP8M51TB1Транзистор: HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
    534Кешбэк 80 баллов
    QH8JA1TCRТранзистор: 20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET,
    261Кешбэк 39 баллов
    QH8KA1TCRТранзистор: 30V NCH+NCH POWER MOSFET
    163Кешбэк 24 балла
    SH8M24GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET. COMPLEX
    243Кешбэк 36 баллов
    SP8K33HZGTBТранзистор: 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S
    500Кешбэк 75 баллов
    SP8M31HZGTBТранзистор: 60V DUAL NCH+PCH AUTOMOTIVE POWE
    552Кешбэк 82 балла
    SH8KA1GZETBТранзистор: SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT
    180Кешбэк 27 баллов
    SH8M31GZETBТранзистор: SH8M31 IS A POWER MOSFET WITH LO
    354Кешбэк 53 балла
    SH8K37GZETBТранзистор: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. SH8K37G
    293Кешбэк 43 балла
    UT6JA3TCRТранзистор: UT6JA3 IS A POWER MOSFET WITH LO
    213Кешбэк 31 балл
    QH8KC6TCRТранзистор: 60V 5.5A, DUAL NCH+NCH, TSMT8, S
    322Кешбэк 48 баллов
    UT6KC5TCRТранзистор: 60V 3.5A, DUAL NCH+NCH, DFN2020-
    359Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - TRIACs
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП