HUF75945G3

HUF75945G3 Fairchild Semiconductor N-CHANNEL POWER MOSFET

• Основные параметры:
• Vds(max): 900 В
• Ic(max): 45 А
• Rds(on): 2.1 Ω (при Vgs = 10 В)
• Tj(max): 175 °C
• Qg: 16 нКл
• tf: 10 нс
• Плюсы:
• Высокая мощность
• Низкое значение Rds(on)
• Малый ток заряда Qg
• Скорость переключения
• Устойчивость к электрическим шумам
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с транзисторами меньшей мощности
• Требуют дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в системах питания
• Передача энергии между разными уровнями напряжения
• Запитка мощных электронных устройств
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы питания
• Источники бесперебойного питания
• Мощные преобразователи напряжения
• Устройства для управления двигателем
• Энергоэффективные приборы