Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
IAUT300N08S5N012ATMA2
  • В избранное
  • В сравнение
IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2
;
IAUT300N08S5N012ATMA2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IAUT300N08S5N012ATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IAUT300N08S5N012ATMA2 при покупке от 1 шт 910.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IAUT300N08S5N012ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 — это MOSFET (MOS-FET) от Infineon Technologies, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальная токовая способность (ID): 300 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 80 V
    • Количество выводов (Pin count): 8
    • Формат корпуса: SOF (Soft Packaging)
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (300 A), что позволяет использовать его в мощных приложениях.
    • Низкое напряжение включения (Vgs(th)), что обеспечивает эффективное управление.
    • Корпус с низким тепловым сопротивлением, что способствует лучшей работе в условиях высоких температур.
    • Малый размер и легкий вес, что полезно для компактного дизайна устройств.
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при работе в режиме полной загрузки.
    • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET моделями.
  • Общее назначение:
    • Передача мощности в электронных устройствах.
    • Управление токами в инверторах и преобразователях питания.
    • Использование в системах управления двигателей.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Системы управления двигателем.
    • Мощные преобразователи питания.
    • Системы энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IAUT300N08S5N012ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 275µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    231 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16250 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-1
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IAUT300

Техническая документация

 IAUT300N08S5N012ATMA2.pdf
pdf. 0 kb
  • 565 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    910 ₽
  • 10
    661 ₽
  • 100
    504 ₽
  • 500
    493 ₽
  • 1000
    484 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IAUT300N08S5N012ATMA2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOFВсе характеристики

Минимальная цена IAUT300N08S5N012ATMA2 при покупке от 1 шт 910.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IAUT300N08S5N012ATMA2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2 — это MOSFET (MOS-FET) от Infineon Technologies, предназначенный для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальная токовая способность (ID): 300 A
    • Номинальное напряжение (VDS): 80 V
    • Количество выводов (Pin count): 8
    • Формат корпуса: SOF (Soft Packaging)
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (300 A), что позволяет использовать его в мощных приложениях.
    • Низкое напряжение включения (Vgs(th)), что обеспечивает эффективное управление.
    • Корпус с низким тепловым сопротивлением, что способствует лучшей работе в условиях высоких температур.
    • Малый размер и легкий вес, что полезно для компактного дизайна устройств.
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при работе в режиме полной загрузки.
    • Стоимость может быть выше по сравнению с менее мощными MOSFET моделями.
  • Общее назначение:
    • Передача мощности в электронных устройствах.
    • Управление токами в инверторах и преобразователях питания.
    • Использование в системах управления двигателей.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Системы управления двигателем.
    • Мощные преобразователи питания.
    • Системы энергосбережения.
Выбрано: Показать

Характеристики IAUT300N08S5N012ATMA2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.2mOhm @ 100A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.8V @ 275µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    231 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    16250 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    375W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-HSOF-8-1
  • Корпус
    8-PowerSFN
  • Base Product Number
    IAUT300

Техническая документация

 IAUT300N08S5N012ATMA2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    463Кешбэк 69 баллов
    SI3407DV-T1-BE3MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
    48Кешбэк 7 баллов
    FCPF380N60-F152600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
    143Кешбэк 21 балл
    RJK03K6DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    182Кешбэк 27 баллов
    CPH6614-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    39Кешбэк 5 баллов
    FDC021N30MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    85Кешбэк 12 баллов
    2SK1399-T2B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    41Кешбэк 6 баллов
    ISS55EP06LMXTSA1MOSFET P-CH 60V 180MA SOT23-3
    44.5Кешбэк 6 баллов
    HUF76105SK8TN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    3SK323UG-TL-EТранзистор: N-CHANNEL DUAL GATE MOSFET
    117Кешбэк 17 баллов
    2SK1589-T1B-ATSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    2SK3486-TD-EN-CHANNEL SILICON MOSFET
    52Кешбэк 7 баллов
    FDA20N50MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN
    673Кешбэк 100 баллов
    SI3460DDV-T1-BE3N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
    122Кешбэк 18 баллов
    MTB10N40EN-CHANNEL POWER MOSFET
    350Кешбэк 52 балла
    SI3430DV-T1-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
    332Кешбэк 49 баллов
    IRFS614BN-CHANNEL POWER MOSFET
    48Кешбэк 7 баллов
    SQJ464EP-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
    282Кешбэк 42 балла
    IRF723N-CHANNEL POWER MOSFET
    211Кешбэк 31 балл
    ISL9N310AS3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    89Кешбэк 13 баллов
    DMN2058UW-7Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
    63Кешбэк 9 баллов
    HUF76121D3STN-CHANNEL POWER MOSFET
    119Кешбэк 17 баллов
    MTP5P25P-CHANNEL POWER MOSFET
    159Кешбэк 23 балла
    SIA483ADJ-T1-GE3MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    RFP10P15P-CHANNEL POWER MOSFET
    489Кешбэк 73 балла
    STL9P3LLH6MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
    285Кешбэк 42 балла
    TBB1010KMTL-EТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов
    IPP60R950C6XKSA1MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
    122Кешбэк 18 баллов
    SPB80N03S2L0580A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET
    85Кешбэк 12 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП