IDWD20G120C5XKSA1

IDWD20G120C5XKSA1 от Infineon Technologies — это диод с использованием технологии SiC (silicon carbide) типа Schottky.

• Номинальное напряжение: 1200 В
• Номинальный ток: 20 А
• Пакет: TO247-2

Основные плюсы:

• Высокая частота работы: благодаря низкому внутреннему сопротивлению, диод может работать при высоких частотах без значительного увеличения потерь.
• Малый размер: из-за использования SiC, диод имеет меньшие размеры по сравнению с аналогичными диодами на базе Si.
• Короткий тормозной процесс: тип Schottky обеспечивает быстрое выключение, что уменьшает время переключения и снижает энергопотери.

Основные минусы:

• Высокая стоимость: диоды на основе SiC стоят дороже диодов на основе Si.
• Требуются специфические требования к проектированию: работа с SiC требует знаний о специфике этой технологии для достижения оптимальных результатов.

Общее назначение: Диод IDWD20G120C5XKSA1 используется в различных приложениях, где требуется высокий уровень надежности и эффективности. Это включает:

• Промышленные преобразователи питания
• Автомобильные системы управления двигателем
• Энергосберегающие решения для дома и промышленности
• Системы хранения энергии