Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IGB20N60H3ATMA1
  • В избранное
  • В сравнение
IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1
;
IGB20N60H3ATMA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGB20N60H3ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IGB20N60H3ATMA1 при покупке от 1 шт 417.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGB20N60H3ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с низким напряжением и высокой плотностью тока. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение:
      600В
    • Номинальный ток:
      40А
    • Форм-фактор:
      D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за потерь при работе
    • Сложность в проектировании и монтаже по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение: Используется для управления током в различных приложениях, таких как приводы двигателей, солнечные панели, инверторы и другие системы, требующие точного управления током.

  • В каких устройствах применяется:
    • Приводы переменных частот
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Бытовые приборы с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IGB20N60H3ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    170 W
  • Энергия переключения
    690µJ
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    120 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16ns/194ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Base Product Number
    IGB20N60

Техническая документация

 IGB20N60H3ATMA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 440 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    417 ₽
  • 10
    267 ₽
  • 100
    182 ₽
  • 1000
    133 ₽
  • 3000
    118 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGB20N60H3ATMA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IGB20N60H3ATMA1 при покупке от 1 шт 417.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGB20N60H3ATMA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGB20N60H3ATMA1

IGB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с низким напряжением и высокой плотностью тока. Он предназначен для применения в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение:
      600В
    • Номинальный ток:
      40А
    • Форм-фактор:
      D2PAK
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность работы
    • Малый размер и вес
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение из-за потерь при работе
    • Сложность в проектировании и монтаже по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение: Используется для управления током в различных приложениях, таких как приводы двигателей, солнечные панели, инверторы и другие системы, требующие точного управления током.

  • В каких устройствах применяется:
    • Приводы переменных частот
    • Инверторы для солнечных панелей
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Бытовые приборы с электрическими двигателями
Выбрано: Показать

Характеристики IGB20N60H3ATMA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    80 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Рассеивание мощности
    170 W
  • Энергия переключения
    690µJ
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    120 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    16ns/194ns
  • Условие испытаний
    400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Исполнение корпуса
    PG-TO263-3
  • Base Product Number
    IGB20N60

Техническая документация

 IGB20N60H3ATMA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRGBC30UТранзистор: IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB
    7 726Кешбэк 1 158 баллов
    HGTG40N60C3RТранзистор: 75A, 600V N-CHANNEL IGBT
    1 465Кешбэк 219 баллов
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    IKW50N60TFKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3
    1 002Кешбэк 150 баллов
    STGW8M120DF3Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    835Кешбэк 125 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    IXA70R1200NAТранзистор: DISC IGBT XPT-GENX3 SOT-227B(MIN
    7 527Кешбэк 1 129 баллов
    STGWA40HP65FB2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 4
    820Кешбэк 122 балла
    IHW25N120E1XKSA1Транзистор: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
    589Кешбэк 88 баллов
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    APT35GP120B2D2GТранзистор: IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247
    3 572Кешбэк 535 баллов
    IKFW40N65ES5XKSA1Транзистор: IKFW40N65ES5XKSA1
    1 338Кешбэк 200 баллов
    GT30N135SRA,S1EТранзистор: D-IGBT TO-247 VCES=1350V IC=30A
    791Кешбэк 118 баллов
    IGW30N60TPXKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3
    361Кешбэк 54 балла
    AIGB40N65H5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    960Кешбэк 144 балла
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    IXYH55N120C4Транзистор: IGBT 1200V 55A GEN4 XPT TO247
    1 874Кешбэк 281 балл
    STGW100H65FB2-4Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 1
    1 285Кешбэк 192 балла
    IGW30N60TFKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    698Кешбэк 104 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    FGY160T65SPD-F085Транзистор: 650V FS GEN3 TRENCH IGBT
    2 949Кешбэк 442 балла
    IKD03N60RFATMA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 6.5A TO252-3
    224Кешбэк 33 балла
    IHW30N135R5XKSA1Транзистор: HOME APPLIANCES 14
    565Кешбэк 84 балла
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    STGWA20IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
    706Кешбэк 105 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП