Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
IGN1011L1200
IGN1011L1200

IGN1011L1200

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L1200
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L1200 при покупке от 1 шт 183041.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L1200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L1200

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    16.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    160 mA
  • Мощность передачи
    1250W
  • Нормальное напряжение
    180 V
  • Корпус
    PL84A1
  • Исполнение корпуса
    PL84A1
  • Base Product Number
    IGN1011
Техническая документация
 IGN1011L1200.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    183 041 ₽
  • 10
    162 002 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L1200
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L1200 при покупке от 1 шт 183041.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L1200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L1200

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    16.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    160 mA
  • Мощность передачи
    1250W
  • Нормальное напряжение
    180 V
  • Корпус
    PL84A1
  • Исполнение корпуса
    PL84A1
  • Base Product Number
    IGN1011
Техническая документация
 IGN1011L1200.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLC2425M9LS250ZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT12701
    23 673Кешбэк 3 550 баллов
    WP2806025UHТранзистор: RF GaN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 25W
    24 957Кешбэк 3 743 балла
    CGHV40200PP-AMP1Транзистор: 1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP
    223 211Кешбэк 33 481 балл
    CPH5608-TL-EТранзистор: NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
    49Кешбэк 7 баллов
    CPH6416-TL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    110Кешбэк 16 баллов
    GTVA101K42EV-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 50V 1400W 0.96-1.4GHZ
    378 163Кешбэк 56 724 балла
    NTD3055AVT4Транзистор: NFET DPAK 60V 0.15R TR
    49Кешбэк 7 баллов
    BLF974PUТранзистор: BLF974P/SOT539/TRAY
    41 055Кешбэк 6 158 баллов
    BLF888ESUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 17DB SOT539B
    70 706Кешбэк 10 605 баллов
    UPA608T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    50Кешбэк 7 баллов
    2SK4087LS-MG5NCH 10V DRIVE SERIES
    594Кешбэк 89 баллов
    BLC9H10XS-350AZТранзистор: BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP
    16 095Кешбэк 2 414 баллов
    BLP15H9S100ZТранзистор: BLP15H9S100/SOT1482/REELDP
    5 012Кешбэк 751 балл
    CPH6312-TL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    33.6Кешбэк 5 баллов
    ON5233,118Транзистор: ON5233 - RF MOSFET
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK852-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL FET
    47Кешбэк 7 баллов
    2SK515-T1B-ASMALL SIGNAL FET
    37Кешбэк 5 баллов
    CLF1G0035-50HТранзистор: CLF1G0035-50 - 50W BROADBAND RF
    46 969Кешбэк 7 045 баллов
    NTD4860NT4HТранзистор: NFET DPAK 25V 65A 0.0075R
    86Кешбэк 12 баллов
    BLC10G27LS-320AVTZТранзистор: BLC10G27LS-320AV/SOT1258/TRAYD
    15 641Кешбэк 2 346 баллов
    BLA9H0912LS-250GUТранзистор: BLA9H0912LS-250G/SOT502/TRAY
    46 694Кешбэк 7 004 балла
    BLC10G22XS-400AVTZТранзистор: BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY
    13 933Кешбэк 2 089 баллов
    BLM9D2527-20ABZRF MOSFET LDMOS SOT1462-1
    6 086Кешбэк 912 баллов
    TA9210DPA RF GAN PWR 12.5W .03-4GHZ 32V
    8 406Кешбэк 1 260 баллов
    GTRA384802FC-V1-R0Транзистор: GAN HEMT 48V 480W 3800MHZ
    38 668Кешбэк 5 800 баллов
    BLP9H10-30GZТранзистор: BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
    5 372Кешбэк 805 баллов
    BLF898UТранзистор: RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A
    52 508Кешбэк 7 876 баллов
    BLP7G10S-160PYТранзистор: RF LDMOS TRANS 160W SOT1223-2
    12 202Кешбэк 1 830 баллов
    BLC10G18XS-360AVTZТранзистор: BLC10G18XS-360AV/SOT1258/TRAYD
    14 795Кешбэк 2 219 баллов
    GTRA362802FC-V1-R0Транзистор: 280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    32 223Кешбэк 4 833 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Принадлежности
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП