Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
IGN1011L1200
  • В избранное
  • В сравнение
IGN1011L1200

IGN1011L1200

IGN1011L1200
;
IGN1011L1200

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L1200
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L1200 при покупке от 1 шт 181539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L1200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGN1011L1200

IGN1011L1200 Integra Technologies Inc. Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

  • Основные параметры:
    • Тип: GAN (Галлийный асениевый нитрид)
    • Класс: RF POWER TRANSISTOR (RF мощной транзистор)
    • Частота: L-BAND (в диапазоне от 900 до 2450 МГц)
    • Максимальная мощность выходного сигнала: 1200 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в радиочастотном диапазоне L-BAND
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая стабильность характеристик при изменении условий эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Сложность в процессе производства
    • Необходимость использования специализированного оборудования для тестирования и управления
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и радиолокация
    • Беспроводные системы связи
    • Радары
    • Телевидение и радиовещание
    • Мобильные сети и базовые станции
  • В каких устройствах применяется:
    • Аппаратура для радиолокационных систем
    • Радиосвязь в военных и гражданских целях
    • Базовые станции мобильной связи
    • Телевизионное вещание
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L1200

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    16.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    160 mA
  • Мощность передачи
    1250W
  • Нормальное напряжение
    180 V
  • Корпус
    PL84A1
  • Исполнение корпуса
    PL84A1
  • Base Product Number
    IGN1011

Техническая документация

 IGN1011L1200.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    181 539 ₽
  • 10
    160 672 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Integra Technologies Inc.
  • Артикул:
    IGN1011L1200
  • Описание:
    Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BANDВсе характеристики

Минимальная цена IGN1011L1200 при покупке от 1 шт 181539.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGN1011L1200 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGN1011L1200

IGN1011L1200 Integra Technologies Inc. Транзистор: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND

  • Основные параметры:
    • Тип: GAN (Галлийный асениевый нитрид)
    • Класс: RF POWER TRANSISTOR (RF мощной транзистор)
    • Частота: L-BAND (в диапазоне от 900 до 2450 МГц)
    • Максимальная мощность выходного сигнала: 1200 Вт
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе в радиочастотном диапазоне L-BAND
    • Устойчивость к высоким температурам
    • Высокая надежность и долговечность
    • Высокая стабильность характеристик при изменении условий эксплуатации
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
    • Сложность в процессе производства
    • Необходимость использования специализированного оборудования для тестирования и управления
  • Общее назначение:
    • Радиосвязь и радиолокация
    • Беспроводные системы связи
    • Радары
    • Телевидение и радиовещание
    • Мобильные сети и базовые станции
  • В каких устройствах применяется:
    • Аппаратура для радиолокационных систем
    • Радиосвязь в военных и гражданских целях
    • Базовые станции мобильной связи
    • Телевизионное вещание
    • Системы спутниковой связи
Выбрано: Показать

Характеристики IGN1011L1200

  • Тип транзистора
    HEMT
  • Частота
    1.03GHz ~ 1.09GHz
  • Усиление
    16.8dB
  • Тестовое напряжение
    50 V
  • Тестовый ток
    160 mA
  • Мощность передачи
    1250W
  • Нормальное напряжение
    180 V
  • Корпус
    PL84A1
  • Исполнение корпуса
    PL84A1
  • Base Product Number
    IGN1011

Техническая документация

 IGN1011L1200.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFL4037-SNCH 10V DRIVE SERIES
    132Кешбэк 19 баллов
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    137Кешбэк 20 баллов
    2SK3617-ENCH 4V DRIVE SERIES
    150Кешбэк 22 балла
    2SJ266-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    224Кешбэк 33 балла
    STB60N06HDT4Транзистор: NFET D2PAK SPCL 60V TR
    232Кешбэк 34 балла
    2SK1920-ENCH 10V DRIVE SERIES
    246Кешбэк 36 баллов
    2SK3820-DL-1EXNCH 4V DRIVE SERIES
    248Кешбэк 37 баллов
    2SK3819-DL-ENCH 4V DRIVE SERIES
    259Кешбэк 38 баллов
    BXL4004-1EXNCH 4.5V DRIVE SERIES
    298Кешбэк 44 балла
    STB4N80ET4Диод: NFET D2PAK SPCL 800V TR
    302Кешбэк 45 баллов
    2SK1069-4-TL-EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    315Кешбэк 47 баллов
    2SK4101FS-V-HNCH 10V DRIVE SERIES
    339Кешбэк 50 баллов
    2SJ277-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    361Кешбэк 54 балла
    2SK2617ALS-CB11NCH 15V DRIVE SERIES
    369Кешбэк 55 баллов
    2SK4087LS-SHPNCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    2SK4087LS-MG5NCH 10V DRIVE SERIES
    589Кешбэк 88 баллов
    2SK2534-TL-ENCH 10V DRIVE SERIES
    622Кешбэк 93 балла
    BLM9D0910-05AMZBLM9D0910-05AM/LGA7X7/REELDP
    3 135Кешбэк 470 баллов
    BLP9LA25SZТранзистор: BLP9LA25S/SOT1482/REELDP
    3 363Кешбэк 504 балла
    BLP9LA25SGZТранзистор: BLP9LA25SG/SOT1483/REELDP
    3 424Кешбэк 513 баллов
    BLP9G0722-20GZТранзистор: RF MOSFET LDMOS 28V SOT1483-1
    3 663Кешбэк 549 баллов
    BLP15H9S10GZТранзистор: BLP15H9S10G/SOT1483/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLP15H9S10ZТранзистор: BLP15H9S10/SOT1482/REELDP
    4 094Кешбэк 614 баллов
    BLM10D3438-35ABZBLM10D3438-35AB/SOT1462/REELDP
    4 265Кешбэк 639 баллов
    BLP15H9S30GZТранзистор: BLP15H9S30G/SOT1483/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLP15H9S30ZТранзистор: BLP15H9S30/SOT1482/REELDP
    4 280Кешбэк 642 балла
    BLP5LA55SZТранзистор: BLP5LA55S/SOT1482/REELDP
    4 708Кешбэк 706 баллов
    BLP15M9S70GZТранзистор: BLP15M9S70G/SOT1483/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP15M9S70ZТранзистор: BLP15M9S70/SOT1482/REELDP
    4 813Кешбэк 721 балл
    BLP0427M9S20GZТранзистор: BLP0427M9S20GZ/SOT1483/REELDP
    4 876Кешбэк 731 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП