Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IGW15N120H3
  • В избранное
  • В сравнение
IGW15N120H3

IGW15N120H3

IGW15N120H3
;
IGW15N120H3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IGW15N120H3
  • Описание:
    IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUВсе характеристики

Минимальная цена IGW15N120H3 при покупке от 1 шт 717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW15N120H3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW15N120H3

IGW15N120H3 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUT TO CASE

  • Основные параметры:
    • Уровень напряженияGBT (VCEO): 1500 В
    • Рейтингный ток (ITO): 120 А
    • Тип: Свободный IGBT без корпуса
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Малый размер и легкость благодаря отсутствию корпуса
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение из-за отсутствия корпуса
    • Сложнее обеспечить надежную изоляцию без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
    • Применение в промышленном оборудовании и машинах
    • Работа в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы энергоснабжения
    • Солнечные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IGW15N120H3

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    217 W
  • Энергия переключения
    1.1mJ (on), 450µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    75 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/260ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 35Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • 58 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    717 ₽
  • 4
    550 ₽
  • 10
    476 ₽
  • 20
    430 ₽
  • 30
    406 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IGW15N120H3
  • Описание:
    IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUВсе характеристики

Минимальная цена IGW15N120H3 при покупке от 1 шт 717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW15N120H3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW15N120H3

IGW15N120H3 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUT TO CASE

  • Основные параметры:
    • Уровень напряженияGBT (VCEO): 1500 В
    • Рейтингный ток (ITO): 120 А
    • Тип: Свободный IGBT без корпуса
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Малый размер и легкость благодаря отсутствию корпуса
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение из-за отсутствия корпуса
    • Сложнее обеспечить надежную изоляцию без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
    • Применение в промышленном оборудовании и машинах
    • Работа в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы энергоснабжения
    • Солнечные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IGW15N120H3

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    217 W
  • Энергия переключения
    1.1mJ (on), 450µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    75 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/260ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 35Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SKW20N60FKSA1Транзистор: IGBT 600V 40A 179W TO247-3
    435Кешбэк 65 баллов
    HGTG20N60B3Транзистор: N-CHANNEL IGBT
    532Кешбэк 79 баллов
    STGD10HF60KDТранзистор: IGBT 600V 10A DPAK
    432Кешбэк 64 балла
    FGPF30N45TTUТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    230Кешбэк 34 балла
    SGB15N60Транзистор: IGBT, 31A, 600V, N-CHANNEL
    306Кешбэк 45 баллов
    STGD8NC60KDT4Транзистор: IGBT 600V 15A 62W DPAK
    332Кешбэк 49 баллов
    STGB15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    456Кешбэк 68 баллов
    IGW30N60H3FKSA1Транзистор: IGBT 600V 60A 187W TO247-3
    643Кешбэк 96 баллов
    NGD8205NT4Транзистор: IGBT 390V 20A 125W DPAK
    230Кешбэк 34 балла
    FGPF30N30Транзистор: IGBT, 300V, N-CHANNEL
    207Кешбэк 31 балл
    FGB40N6S2TТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    786Кешбэк 117 баллов
    STGD20N40LZТранзистор: IGBT 390V 25A 125W DPAK
    513Кешбэк 76 баллов
    STGD10NC60ST4Транзистор: IGBT 600V 18A 60W DPAK
    182Кешбэк 27 баллов
    IGP50N60TXKSA1Транзистор: IGBT 600V 100A 333W TO220-3
    754Кешбэк 113 баллов
    IHW40T120FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 75A 270W TO247-3
    1 154Кешбэк 173 балла
    STGF5H60DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
    270Кешбэк 40 баллов
    STGB3NC120HDT4Транзистор: IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
    422Кешбэк 63 балла
    AOD5B65M1Транзистор: IGBT 650V 5A TO252
    328Кешбэк 49 баллов
    IRG4IBC10UDPBFТранзистор: IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
    359Кешбэк 53 балла
    HGTP7N60B3DТранзистор: N-CHANNEL IGBT
    295Кешбэк 44 балла
    RGT8BM65DTLТранзистор: IGBT 650V 8A 62W TO-252
    561Кешбэк 84 балла
    STGW19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 42A 140W TO247
    735Кешбэк 110 баллов
    STGD3HF60HDT4Транзистор: IGBT 600V 7.5A 38W DPAK
    239Кешбэк 35 баллов
    STGD7NB60ST4Транзистор: IGBT 600V 15A 55W DPAK
    395Кешбэк 59 баллов
    STGP14NC60KDТранзистор: IGBT 600V 25A 80W TO220
    352Кешбэк 52 балла
    IRGR4045DTRPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    226Кешбэк 33 балла
    RJH60M1DPE-00#J3Транзистор: IGBT 600V 16A 52W LDPAK
    550Кешбэк 82 балла
    IKB10N60TATMA1Транзистор: IGBT 600V 20A 110W TO263-3
    383Кешбэк 57 баллов
    STGF15M65DF2Транзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    195Кешбэк 29 баллов
    NGTB30N65IHL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 60A TO247-3
    737Кешбэк 110 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Драйверы питания - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП