Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IGW15N120H3
  • В избранное
  • В сравнение
IGW15N120H3

IGW15N120H3

IGW15N120H3
;
IGW15N120H3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IGW15N120H3
  • Описание:
    IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUВсе характеристики

Минимальная цена IGW15N120H3 при покупке от 1 шт 717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW15N120H3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW15N120H3

IGW15N120H3 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUT TO CASE

  • Основные параметры:
    • Уровень напряженияGBT (VCEO): 1500 В
    • Рейтингный ток (ITO): 120 А
    • Тип: Свободный IGBT без корпуса
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Малый размер и легкость благодаря отсутствию корпуса
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение из-за отсутствия корпуса
    • Сложнее обеспечить надежную изоляцию без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
    • Применение в промышленном оборудовании и машинах
    • Работа в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы энергоснабжения
    • Солнечные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IGW15N120H3

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    217 W
  • Энергия переключения
    1.1mJ (on), 450µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    75 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/260ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 35Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • 58 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    717 ₽
  • 4
    550 ₽
  • 10
    476 ₽
  • 20
    430 ₽
  • 30
    406 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IGW15N120H3
  • Описание:
    IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUВсе характеристики

Минимальная цена IGW15N120H3 при покупке от 1 шт 717.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW15N120H3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW15N120H3

IGW15N120H3 INFINEON TECHNOLOGIES IGW15N120 - DISCRETE IGBT WITHOUT TO CASE

  • Основные параметры:
    • Уровень напряженияGBT (VCEO): 1500 В
    • Рейтингный ток (ITO): 120 А
    • Тип: Свободный IGBT без корпуса
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими напряжениями
    • Малый размер и легкость благодаря отсутствию корпуса
    • Высокая скорость переключения
  • Минусы:
    • Необходимо дополнительное охлаждение из-за отсутствия корпуса
    • Сложнее обеспечить надежную изоляцию без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в инверторах и преобразователях мощности
    • Применение в промышленном оборудовании и машинах
    • Работа в системах управления двигателем
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы энергоснабжения
    • Солнечные системы энергии
Выбрано: Показать

Характеристики IGW15N120H3

  • Package
    Bulk
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    30 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    60 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 15A
  • Рассеивание мощности
    217 W
  • Энергия переключения
    1.1mJ (on), 450µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    75 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    21ns/260ns
  • Условие испытаний
    600V, 15A, 35Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    STGP20NC60VТранзистор: IGBT 600V 60A 200W TO220
    621Кешбэк 93 балла
    IRGP4072DPBFТранзистор: IGBT 300V 70A 180W TO247AC
    1 236Кешбэк 185 баллов
    IRG4PC30KDPBFТранзистор: IGBT 600V 28A 100W TO247AC
    998Кешбэк 149 баллов
    STGP20V60DFТранзистор: IGBT 600V 40A 167W TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    FGH40N60SMDТранзистор: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
    906Кешбэк 135 баллов
    APT36GA60BТранзистор: IGBT 600V 65A 290W TO-247
    810Кешбэк 121 балл
    STGWT80V60FТранзистор: IGBT 600V 120A 469W TO-3P
    1 012Кешбэк 151 балл
    APT80GA90LD40Транзистор: IGBT 900V 145A 625W TO-264
    2 462Кешбэк 369 баллов
    NGTB35N65FL2WGТранзистор: IGBT TRENCH/FS 650V 70A TO247
    1 215Кешбэк 182 балла
    STGWA40H120DF2Транзистор: TRENCH GATE IGBT TO247 PKG
    1 073Кешбэк 160 баллов
    APT35GP120BGТранзистор: IGBT 1200V 96A 543W TO247
    2 909Кешбэк 436 баллов
    STGW30H65FBТранзистор: IGBT 650V 30A 260W TO-247
    734Кешбэк 110 баллов
    IXXH30N60B3D1Транзистор: IGBT 600V 60A 270W TO247
    1 262Кешбэк 189 баллов
    IRGP4262DPBFТранзистор: IGBT 650V 60A 250W TO247AC
    796Кешбэк 119 баллов
    APT50GN120L2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 134A 543W TO264
    3 324Кешбэк 498 баллов
    STGF19NC60HDТранзистор: IGBT 600V 16A 32W TO220FP
    326Кешбэк 48 баллов
    APT40GR120BТранзистор: IGBT 1200V 88A 500W TO247
    1 251Кешбэк 187 баллов
    IXXH40N65B4Транзистор: IGBT 650V 120A 455W TO247AD
    1 184Кешбэк 177 баллов
    IKA15N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V 14A TO220-3
    454Кешбэк 68 баллов
    STGW30NC60VDТранзистор: IGBT 600V 80A 250W TO247
    823Кешбэк 123 балла
    APT68GA60BТранзистор: IGBT 600V 121A 520W TO-247
    2 022Кешбэк 303 балла
    IXBT6N170Транзистор: IGBT 1700V 12A 75W TO268
    2 716Кешбэк 407 баллов
    APT50GT120B2RDQ2GТранзистор: IGBT 1200V 94A 625W TO247
    4 934Кешбэк 740 баллов
    APT45GP120B2DQ2GТранзистор: IGBT 1200V 113A 625W TMAX
    3 811Кешбэк 571 балл
    APT15GN120BDQ1GТранзистор: IGBT 1200V 45A 195W TO247
    1 275Кешбэк 191 балл
    IXGH48N60C3Транзистор: IGBT 600V 75A 300W TO247AD
    1 702Кешбэк 255 баллов
    IXGH72N60C3Транзистор: IGBT 600V 75A 540W TO247AD
    1 702Кешбэк 255 баллов
    IRG4IBC30KDPBFТранзистор: IGBT 600V 17A 45W TO220FP
    973Кешбэк 145 баллов
    APT15GT60BRDQ1GТранзистор: IGBT 600V 42A 184W TO247
    1 643Кешбэк 246 баллов
    APT35GA90BТранзистор: IGBT 900V 63A 290W TO-247
    895Кешбэк 134 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды силовые
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП