Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IGW25N120H3FKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1
;
IGW25N120H3FKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW25N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW25N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW25N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Удельная мощность (Ptot): 326В·А
    • Количество байпасных diodes: 3
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление (Rth)
    • Быстрое переключение
    • Высокая надежность в условиях перегрузок
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо соблюдение специальных условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в промышленной электронике
    • Превращение переменного тока в постоянный
    • Управление активной мощностью в источниках питания
    • Трансформация частоты в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для систем хранения энергии
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IGW25N120H3FKSA1

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 IGW25N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1727 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    926 ₽
  • 30
    518 ₽
  • 120
    428 ₽
  • 510
    362 ₽
  • 1020
    339 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW25N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW25N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW25N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Удельная мощность (Ptot): 326В·А
    • Количество байпасных diodes: 3
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление (Rth)
    • Быстрое переключение
    • Высокая надежность в условиях перегрузок
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо соблюдение специальных условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в промышленной электронике
    • Превращение переменного тока в постоянный
    • Управление активной мощностью в источниках питания
    • Трансформация частоты в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для систем хранения энергии
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IGW25N120H3FKSA1

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 IGW25N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGT8TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    276Кешбэк 41 балл
    RGT8NS65DGC9Транзистор: IGBT
    287Кешбэк 43 балла
    RGT30TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    326Кешбэк 48 баллов
    RGT16NS65DGC9Транзистор: IGBT
    339Кешбэк 50 баллов
    RGT20TM65DGC9Транзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    456Кешбэк 68 баллов
    RGPR30BM40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    476Кешбэк 71 балл
    RGT8NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    478Кешбэк 71 балл
    RGPR10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR20NS43HRTLТранзистор: 430V 20A IGNITION IGBT
    493Кешбэк 73 балла
    RGPR30NS40HRTLТранзистор: 400V 30A IGNITION IGBT
    502Кешбэк 75 баллов
    RGCL80TS60GC11Транзистор: IGBT
    528Кешбэк 79 баллов
    RGT16BM65DTLТранзистор: IGBT
    541Кешбэк 81 балл
    RGPZ10BM40FHTLТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    RGT16TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    554Кешбэк 83 балла
    RGT20NL65GTLТранзистор: 650V 10A FIELD STOP TRENCH IGBT
    556Кешбэк 83 балла
    RGCL60TK60GC11Транзистор: IGBT
    560Кешбэк 84 балла
    RGT16NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    578Кешбэк 86 баллов
    RGTV60TS65GC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    582Кешбэк 87 баллов
    RGW40TS65DGC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    597Кешбэк 89 баллов
    RGT30NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    600Кешбэк 90 баллов
    RGT30NS65DGC9Транзистор: IGBT
    608Кешбэк 91 балл
    RGCL60TK60DGC11Транзистор: IGBT
    611Кешбэк 91 балл
    RGTH50TK65GC11Транзистор: IGBT
    613Кешбэк 91 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGCL80TK60DGC11Транзистор: IGBT
    641Кешбэк 96 баллов
    RGT40NS65DGC9Транзистор: IGBT
    661Кешбэк 99 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGTH60TK65DGC11Транзистор: IGBT
    689Кешбэк 103 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП