Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IGW25N120H3FKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1
;
IGW25N120H3FKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW25N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW25N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW25N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Удельная мощность (Ptot): 326В·А
    • Количество байпасных diodes: 3
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление (Rth)
    • Быстрое переключение
    • Высокая надежность в условиях перегрузок
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо соблюдение специальных условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в промышленной электронике
    • Превращение переменного тока в постоянный
    • Управление активной мощностью в источниках питания
    • Трансформация частоты в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для систем хранения энергии
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IGW25N120H3FKSA1

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 IGW25N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 1727 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    926 ₽
  • 30
    518 ₽
  • 120
    428 ₽
  • 510
    362 ₽
  • 1020
    339 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW25N120H3FKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW25N120H3FKSA1 при покупке от 1 шт 926.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW25N120H3FKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IGW25N120H3FKSA1

IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (UD(on)): 1200В
    • Номинальный ток (ID): 50А
    • Удельная мощность (Ptot): 326В·А
    • Количество байпасных diodes: 3
    • Пакет: TO247-3
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы при различных нагрузках
    • Малый тепловой сопротивление (Rth)
    • Быстрое переключение
    • Высокая надежность в условиях перегрузок
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными MOSFET
    • Необходимо соблюдение специальных условий охлаждения
  • Общее назначение:
    • Передача энергии в промышленной электронике
    • Превращение переменного тока в постоянный
    • Управление активной мощностью в источниках питания
    • Трансформация частоты в инверторах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Инверторы для систем хранения энергии
    • Промышленные преобразователи частоты
    • Источники бесперебойного питания
    • Системы регулирования напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики IGW25N120H3FKSA1

  • Package
    Bulk

Техническая документация

 IGW25N120H3FKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKA15N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP
    633Кешбэк 94 балла
    AIGB15N65F5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    677Кешбэк 101 балл
    AIGW40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    IKZA75N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    945Кешбэк 141 балл
    IGW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    984Кешбэк 147 баллов
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    1 042Кешбэк 156 баллов
    AIGW50N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    1 118Кешбэк 167 баллов
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 138Кешбэк 170 баллов
    IKW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    1 244Кешбэк 186 баллов
    IKZA50N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 879Кешбэк 281 балл
    AIKW75N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 921Кешбэк 288 баллов
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    RGSX5TS65EGC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    870Кешбэк 130 баллов
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    RGS30TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 053Кешбэк 157 баллов
    RGWX5TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 222Кешбэк 183 балла
    RGS50TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 266Кешбэк 189 баллов
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 277Кешбэк 191 балл
    RGW00TS65HRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 281Кешбэк 192 балла
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 549Кешбэк 232 балла
    RGSX5TS65HRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 556Кешбэк 233 балла
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 756Кешбэк 263 балла
    RGSX5TS65DHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 824Кешбэк 273 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП