Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IGW40N60TPXKSA1
IGW40N60TPXKSA1

IGW40N60TPXKSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW40N60TPXKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW40N60TPXKSA1 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW40N60TPXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGW40N60TPXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    67 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    246 W
  • Энергия переключения
    1.06mJ (on), 610µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    177 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    18ns/222ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IGW40N60
Техническая документация
 IGW40N60TPXKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 359 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    547 ₽
  • 30
    294 ₽
  • 120
    238 ₽
  • 510
    197 ₽
  • 1020
    182 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IGW40N60TPXKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 67A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IGW40N60TPXKSA1 при покупке от 1 шт 547.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IGW40N60TPXKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IGW40N60TPXKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    67 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    120 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    246 W
  • Энергия переключения
    1.06mJ (on), 610µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    177 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    18ns/222ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10.1Ohm, 15V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IGW40N60
Техническая документация
 IGW40N60TPXKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    IGW20N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 40A TO247-3
    RJP4002ANS-00#Q1Транзистор: IGBT
    IGB50N60TATMA1Транзистор: IGBT TRENCH 600V 100A TO263-3-2
    STGWA50IH65DFТранзистор: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
    FGH75T65SHDTLN4Транзистор: FS3 T TO247 75A 650V 4WL
    STGB20M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 40A D2PAK
    RGCL60TS60GC11Транзистор: IGBT
    IXGP48N60A3Транзистор: DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY TO-22
    IGW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    HGTP15N40E1Транзистор: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    FGY75T95SQDTТранзистор: IGBT 950V 75A
    ISL9V5045S3ST-F085IGBT 480V 51A 300W D2PAK
    IGTM10N40Транзистор: N CHANNEL IGBT FOR SWITCHING APP
    AIKB15N65DH5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    FGB3056-F085Транзистор: ECOSPARK IGNITION IGBT
    RJH30E3DPK-M2#T2Транзистор: IGBT
    RGSX5TS65EHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    RJP4002ASA-00#Q0Транзистор: IGBT
    IKW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    AUIRG4BC30U-SТранзистор: IGBT 600V 23A 100W D2PAK
    AFGHL40T65SQDТранзистор: AEC 101 QUALIFIED, 650V, 40A FIE
    AUIRGP4062D-EТранзистор: IGBT 600V 48A TO247AD
    SGB8206ANSL3GТранзистор: IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL
    IKD10N60RC2ATMA1Транзистор: IKD10N60RC2ATMA1
    RGS50TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    STGF6M65DF2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
    RGT8NS65DGC9Транзистор: IGBT
    HGTP20N60C3RТранзистор: 40A, 600V, RUGGED N-CHANNEL IGBT
    IKW40N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247-3

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП