Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IKFW50N65EH5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKFW50N65EH5XKSA1

IKFW50N65EH5XKSA1

IKFW50N65EH5XKSA1
;
IKFW50N65EH5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKFW50N65EH5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IKFW50N65EH5XKSA1Все характеристики

Минимальная цена IKFW50N65EH5XKSA1 при покупке от 1 шт 1391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKFW50N65EH5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKFW50N65EH5XKSA1

ИКФВ50Н65ЕХ5КСА1 Infineon Technologies — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с высоким напряжением.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VDS(ON)) - 65 В
    • Максимальная токовая нагрузка (ID) - 50 А
    • Максимальный рабочий температурный диапазон - от -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Низкий энергопотребление и теплоотдача
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Простота применения и монтажа
  • Минусы:
    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Для работы с переменными и постоянными токами
    • Обеспечение защиты от перегрузок и скачков напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Электроприводах
    • Бытовой технике
    • Промышленном оборудовании
    • Системах управления силовыми сетями
Выбрано: Показать

Характеристики IKFW50N65EH5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    59 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    124 W
  • Энергия переключения
    1.2mJ (on), 400µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    95 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/138ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    52 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-HSIP247-3-2
  • Base Product Number
    IKFW50

Техническая документация

 IKFW50N65EH5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 166 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 391 ₽
  • 10
    806 ₽
  • 100
    804 ₽
  • 480
    584 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKFW50N65EH5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IKFW50N65EH5XKSA1Все характеристики

Минимальная цена IKFW50N65EH5XKSA1 при покупке от 1 шт 1391.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKFW50N65EH5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKFW50N65EH5XKSA1

ИКФВ50Н65ЕХ5КСА1 Infineon Technologies — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с высоким напряжением.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VDS(ON)) - 65 В
    • Максимальная токовая нагрузка (ID) - 50 А
    • Максимальный рабочий температурный диапазон - от -55°C до +175°C
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении включенного состояния
    • Низкий энергопотребление и теплоотдача
    • Устойчивость к электрическим шумам
    • Простота применения и монтажа
  • Минусы:
    • Относительно высокая цена по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими токами
  • Общее назначение:
    • Использование в системах управления мощностью
    • Для работы с переменными и постоянными токами
    • Обеспечение защиты от перегрузок и скачков напряжений
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления двигателем
    • Электроприводах
    • Бытовой технике
    • Промышленном оборудовании
    • Системах управления силовыми сетями
Выбрано: Показать

Характеристики IKFW50N65EH5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    59 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    124 W
  • Энергия переключения
    1.2mJ (on), 400µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    95 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    20ns/138ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 15.1Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    52 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-HSIP247-3-2
  • Base Product Number
    IKFW50

Техническая документация

 IKFW50N65EH5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IKA15N65ET6XKSA2Транзистор: IGBT TRENCH 650V 17A TO220-3FP
    633Кешбэк 94 балла
    AIGB15N65F5ATMA1Транзистор: DISCRETE SWITCHES
    677Кешбэк 101 балл
    AIGW40N65F5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    778Кешбэк 116 баллов
    IKZA75N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    945Кешбэк 141 балл
    IGW50N60H3FKSA1Транзистор: IGBT TRENCH/FS 600V 100A TO247-3
    984Кешбэк 147 баллов
    IKW15N120T2FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 30A 235W TO247-3
    1 042Кешбэк 156 баллов
    AIGW50N65H5XKSA1Транзистор: IGBT 650V TO247-3
    1 118Кешбэк 167 баллов
    IKZA40N65RH5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 138Кешбэк 170 баллов
    IKW25N120H3FKSA1Транзистор: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
    1 244Кешбэк 186 баллов
    IKZA50N65SS5XKSA1Транзистор: INDUSTRY 14
    1 879Кешбэк 281 балл
    AIKW75N60CTXKSA1Транзистор: IC DISCRETE 600V TO247-3
    1 921Кешбэк 288 баллов
    RGTH40TK65GC11Транзистор: IGBT
    514Кешбэк 77 баллов
    RGTV80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    530Кешбэк 79 баллов
    RGTV80TK65GVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    584Кешбэк 87 баллов
    RGTV00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    617Кешбэк 92 балла
    RGTV80TK65DGVC11Транзистор: 2US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    688Кешбэк 103 балла
    RGW40TS65GC11Транзистор: 650V 20A FIELD STOP TRENCH IGBT
    802Кешбэк 120 баллов
    RGSX5TS65EGC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    870Кешбэк 130 баллов
    RGW50TK65GVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    890Кешбэк 133 балла
    RGS30TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 053Кешбэк 157 баллов
    RGWX5TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 222Кешбэк 183 балла
    RGS50TSX2GC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 266Кешбэк 189 баллов
    RGS30TSX2DHRC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 277Кешбэк 191 балл
    RGW00TS65HRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 281Кешбэк 192 балла
    RGW00TS65DHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 466Кешбэк 219 баллов
    RGW00TS65EHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    1 549Кешбэк 232 балла
    RGSX5TS65HRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 556Кешбэк 233 балла
    RGS50TSX2HRC11Транзистор: 1200V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 756Кешбэк 263 балла
    RGSX5TS65DHRC11Транзистор: 8S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
    1 824Кешбэк 273 балла
    RGW60TS65CHRC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    2 276Кешбэк 341 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Принадлежности
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП