IKP08N65F5XKSA1

ИКП08Н65F5XКСА1 Infineon Technologies — транзистор IGBT

• Номинальное напряжение блокировки (UDRM): 650В
• Номинальная токовая способность (ID): 18А
• Мощность (Ptot): 70Вт
• Пакет (Package): PG-TO220-3

Основные плюсы:

• Высокая эффективность: ИГБТ обеспечивает низкую потери энергии при работе.
• Устойчивость к перегрузкам: Транзистор способен выдерживать значительные импульсные нагрузки.
• Работа с переменными нагрузками: Подходит для устройств, где нагрузка изменяется.

Основные минусы:

• Сложность управления: Необходимо соблюдать определенные условия для правильного управления.
• Тепловые потери: При высоких нагрузках могут возникать значительные тепловые потери.
• Цена: Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов.

Общее назначение:

• ИГБТ используется для управления электрической мощностью в различных приложениях.
• Подходит для систем управления двигателей, инверторов питания, солнечных батарей и других источников энергии.
• Используется в промышленной автоматизации и электротехнике.

Применение:

• Автомобильная промышленность (системы питания, электроника).
• Промышленное оборудование (инверторы, преобразователи).
• Энергетика (инверторы солнечных батарей, генераторы).