Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IKP30N65F5XKSA1

IKP30N65F5XKSA1

IKP30N65F5XKSA1
;
IKP30N65F5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKP30N65F5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IKP30N65F5XKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKP30N65F5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKP30N65F5XKSA1

ИКП30Н65F5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Рейтинг напряжения: 650В
  • Рейтинг тока: 55А
  • Монтажный корпус: TO220-3

Основные параметры:

  • Эффективность: высокая при работе в режиме частотной инверсии.
  • Скорость переключения: позволяет уменьшить тепловые потери.
  • Стабильность работы: надежная работа при различных условиях.

Плюсы:

  • Высокая мощность.
  • Устойчивость к перегреву.
  • Долговечность и надежность.
  • Экономичность в энергопотреблении.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуется дополнительное охлаждение.
  • Требуются дополнительные компоненты для управления.

Общее назначение: Используется для управления мощностью в различных приложениях, требующих высокой эффективности и надежности, таких как:

  • Приводы двигателей.
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии.
  • Автомобильные системы.
  • Инверторы и преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики IKP30N65F5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    188 W
  • Энергия переключения
    280µJ (on), 70µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    65 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    19ns/170ns
  • Условие испытаний
    400V, 15A, 23Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    55 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Base Product Number
    IKP30N65

Техническая документация

IKP30N65F5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKP30N65F5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 55A TO220-3Все характеристики

Минимальная цена IKP30N65F5XKSA1 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKP30N65F5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKP30N65F5XKSA1

ИКП30Н65F5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Рейтинг напряжения: 650В
  • Рейтинг тока: 55А
  • Монтажный корпус: TO220-3

Основные параметры:

  • Эффективность: высокая при работе в режиме частотной инверсии.
  • Скорость переключения: позволяет уменьшить тепловые потери.
  • Стабильность работы: надежная работа при различных условиях.

Плюсы:

  • Высокая мощность.
  • Устойчивость к перегреву.
  • Долговечность и надежность.
  • Экономичность в энергопотреблении.

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Требуется дополнительное охлаждение.
  • Требуются дополнительные компоненты для управления.

Общее назначение: Используется для управления мощностью в различных приложениях, требующих высокой эффективности и надежности, таких как:

  • Приводы двигателей.
  • Солнечные батареи и системы хранения энергии.
  • Автомобильные системы.
  • Инверторы и преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики IKP30N65F5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    55 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    90 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Рассеивание мощности
    188 W
  • Энергия переключения
    280µJ (on), 70µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    65 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    19ns/170ns
  • Условие испытаний
    400V, 15A, 23Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    55 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-220-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO220-3
  • Base Product Number
    IKP30N65

Техническая документация

IKP30N65F5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории