IKW20N60H3FKSA1

Транзистор IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES:

• Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
• Структура: TRENCH/FS (Trench Field Stop)
• Номинальное напряжение: 600В
• Номинальный ток: 40А
• Пакет: TO247-3

Основные параметры:

• Эффективность: Высокая эффективность при работе с переменными нагрузками.
• Коэффициент затухания: Малый коэффициент затухания обеспечивает быструю работу транзистора.
• Термическая стабильность: Хорошая термическая стабильность благодаря использованию технологии trench.

Плюсы:

• Высокий КПД: Высокое энергоэффективное поведение в различных условиях работы.
• Малый размер: Экономия пространства благодаря компактному дизайну.
• Легкость управления: Простота управления благодаря использованию индуктивного гейта.

Минусы:

• Цена: Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов.
• Требование к охлаждению: Некоторые модели могут требовать дополнительного охлаждения для предотвращения перегрева.

Общее назначение:

• Используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях.
• Подходит для промышленных систем, преобразователей частоты, электроприводов и других устройств с высокой потребностью в управлении мощностью.

Применяется в:

• Преобразователях частоты и напряжения
• Электроприводах
• Автомобильных системах
• Питательных установках
• Энергосберегающих устройствах