IKW30N60T

IKW30N60T Infineon Technologies IKW30N60 - DISCRETE IGBT с анодным охлаждением

• Основные параметры:
  • Максимальное напряжение блока (V_CEO): 600 В
  • Максимальная токовая способность (I_max): 30 А
  • Питание при переходном процессе (I_GT): 150 А
  • Частота работы (f_max): до 20 кГц
• Плюсы:
  • Высокая надежность и долговечность
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Эффективное управление током и мощностью
  • Малый размер и легкость благодаря компактному дизайну
• Минусы:
  • Требует дополнительного охлаждения из-за высокой мощности
  • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
• Общее назначение: Используется для управления мощностью в различных приложениях, требующих высокую эффективность и точность.
• Применяется в:
  • Автомобильных системах
  • Инверторах для промышленного оборудования
  • Мощных преобразователях частоты
  • Системах управления двигателем
  • Солнечных энергетических системах