Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
IKW40N65ES5XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1

IKW40N65ES5XKSA1
;
IKW40N65ES5XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW40N65ES5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N65ES5XKSA1 при покупке от 1 шт 826.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N65ES5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N65ES5XKSA1

ИКW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки: 650 В
  • Максимальный ток: 79 А
  • Форм-фактор корпуса: TO247-3

Основные параметры:

  • Питание: Индуктивные нагрузки, переменные токи
  • Частота работы: От 10 до 100 кГц
  • Эффективность: Высокая при работе с переменными токами

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с переменными токами
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малый размер и легкость благодаря использованию тонкостенного технологии trench
  • Долговечность из-за улучшенной термической стабильности

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
  • Сложность в проектировании для начинающих инженеров

Общее назначение:

  • Передача энергии в электропитании
  • Управление мощностью в промышленных системах
  • Автомобильная индустрия (например, системы управления двигателем)
  • Солнечные панели и другие источники возобновляемой энергии

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для солнечных панелей
  • Системы управления двигателями
  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N65ES5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    79 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.7V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    230 W
  • Энергия переключения
    860µJ (on), 400µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    95 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    19ns/130ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    73 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW40N65

Техническая документация

 IKW40N65ES5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 308 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    826 ₽
  • 30
    458 ₽
  • 120
    377 ₽
  • 510
    317 ₽
  • 1020
    295 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW40N65ES5XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT TRENCH 650V 79A TO247-3Все характеристики

Минимальная цена IKW40N65ES5XKSA1 при покупке от 1 шт 826.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW40N65ES5XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW40N65ES5XKSA1

ИКW40N65ES5XKSA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки: 650 В
  • Максимальный ток: 79 А
  • Форм-фактор корпуса: TO247-3

Основные параметры:

  • Питание: Индуктивные нагрузки, переменные токи
  • Частота работы: От 10 до 100 кГц
  • Эффективность: Высокая при работе с переменными токами

Плюсы:

  • Высокая эффективность при работе с переменными токами
  • Устойчивость к перегрузкам
  • Малый размер и легкость благодаря использованию тонкостенного технологии trench
  • Долговечность из-за улучшенной термической стабильности

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
  • Сложность в проектировании для начинающих инженеров

Общее назначение:

  • Передача энергии в электропитании
  • Управление мощностью в промышленных системах
  • Автомобильная индустрия (например, системы управления двигателем)
  • Солнечные панели и другие источники возобновляемой энергии

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для солнечных панелей
  • Системы управления двигателями
  • Промышленное оборудование
  • Автомобильные системы
  • Мощные источники питания
Выбрано: Показать

Характеристики IKW40N65ES5XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    79 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    160 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.7V @ 15V, 40A
  • Рассеивание мощности
    230 W
  • Энергия переключения
    860µJ (on), 400µJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    95 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    19ns/130ns
  • Условие испытаний
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    73 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW40N65

Техническая документация

 IKW40N65ES5XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRG4RC20FTRPBFТранзистор: IGBT 600V 22A 66W DPAK
    169Кешбэк 25 баллов
    IRGP4620DPBFТранзистор: IGBT 600V 32A 140W TO247AC
    382Кешбэк 57 баллов
    IRG7PH35UD-EPТранзистор: IGBT 1200V 50A COPAK247
    974Кешбэк 146 баллов
    IRG4BC20UDSTRRPТранзистор: IGBT 600V 13A 60W D2PAK
    333Кешбэк 49 баллов
    AUIRGR4045DТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    339Кешбэк 50 баллов
    IRGS4607DTRLPBFТранзистор: IGBT 600V 11A D2PAK
    228Кешбэк 34 балла
    IRG4BC15UD-SPBFТранзистор: IGBT 600V 14A 49W D2PAK
    341Кешбэк 51 балл
    IRG7PG35U-EPBFТранзистор: IGBT
    602Кешбэк 90 баллов
    IRGR4045DPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 77W DPAK
    198Кешбэк 29 баллов
    IRG4BC30SPBFТранзистор: IGBT 600V 34A 100W TO220AB
    296Кешбэк 44 балла
    IRG7PG35UPBFТранзистор: IGBT
    543Кешбэк 81 балл
    IRG4BC40UТранзистор: IGBT 600V 40A 160W TO220AB
    489Кешбэк 73 балла
    IRGS6B60KPBFТранзистор: IGBT 600V 13A 90W D2PAK
    270Кешбэк 40 баллов
    IRGB4607DPBFТранзистор: IGBT 600V 11A 58W TO220
    239Кешбэк 35 баллов
    IRGIB7B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 12A 39W TO220FP
    232Кешбэк 34 балла
    AUIRG4BC30S-SТранзистор: IGBT 600V 34A 100W D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRGB15B60KDPBFТранзистор: IGBT 600V 31A 208W TO220AB
    1 198Кешбэк 179 баллов
    IRGB4715DPBFТранзистор: IGBT 650V TO-220AB
    330Кешбэк 49 баллов
    IRG7PH42UPBFТранзистор: IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
    1 654Кешбэк 248 баллов
    IRGB4615DPBFТранзистор: IGBT 600V 23A 99W TO220
    330Кешбэк 49 баллов
    IRGS4715DPBFТранзистор: IGBT WITH RECOVERY DIODE
    339Кешбэк 50 баллов
    IRGP4620D-EPBFТранзистор: IGBT 600V 32A 140W TO247AD
    400Кешбэк 60 баллов
    IRG7PH42UD1PBFТранзистор: IGBT 1200V 85A 313W TO247AC
    2 168Кешбэк 325 баллов
    IRG4PH50KPBFТранзистор: IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
    1 473Кешбэк 220 баллов
    IRG4IBC30WPBFТранзистор: IGBT 600V 17A 45W TO220FP
    537Кешбэк 80 баллов
    AUIRGP4066D1Транзистор: IGBT 600V 140A 454W TO-247AC
    3 712Кешбэк 556 баллов
    IRGR4610DPBFТранзистор: IGBT 600V 16A 77W DPAK
    358Кешбэк 53 балла
    IRG4BC30WТранзистор: IGBT 600V 23A 100W TO220AB
    493Кешбэк 73 балла
    IRG7PSH50UDPBFТранзистор: IRG7PSH50 - DISCRETE IGBT WITH A
    1 758Кешбэк 263 балла
    IRGP4266D-EPBFТранзистор: IGBT 650V 140A 455W TO247AD
    1 265Кешбэк 189 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП