Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - IGBT - одиночные
IKW75N65ET7XKSA1
  • В избранное
  • В сравнение
IKW75N65ET7XKSA1

IKW75N65ET7XKSA1

IKW75N65ET7XKSA1
;
IKW75N65ET7XKSA1

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW75N65ET7XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IKW75N65ET7XKSA1Все характеристики

Минимальная цена IKW75N65ET7XKSA1 при покупке от 1 шт 1238.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW75N65ET7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW75N65ET7XKSA1

ИКВ75Н65ЕТ7ХКСА1 Infineon Technologies

  • Тип: Мощной полупроводниковый транзистор
  • Стандарт: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Рейтинг тока: 750 А
  • Рейтинг напряжения: 650 В
  • Частота работы: до 20 кГц
  • Максимальная температура: +175°C

Плюсы:

  • Высокая эффективность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуются дополнительные компоненты для защиты от скачков напряжения
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения

Общее назначение: ИКВ75Н65ЕТ7ХКСА1 используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях.

Применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Энергоэффективных системах
  • Машинно-строительном оборудовании
  • Промышленных преобразователях частоты
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IKW75N65ET7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    225 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.65V @ 15V, 75A
  • Рассеивание мощности
    333 W
  • Энергия переключения
    2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    435 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    28ns/310ns
  • Условие испытаний
    400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW75N65

Техническая документация

 IKW75N65ET7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 238 ₽
  • 10
    693 ₽
  • 100
    578 ₽
  • 480
    504 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IKW75N65ET7XKSA1
  • Описание:
    Транзистор: IKW75N65ET7XKSA1Все характеристики

Минимальная цена IKW75N65ET7XKSA1 при покупке от 1 шт 1238.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IKW75N65ET7XKSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IKW75N65ET7XKSA1

ИКВ75Н65ЕТ7ХКСА1 Infineon Technologies

  • Тип: Мощной полупроводниковый транзистор
  • Стандарт: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
  • Рейтинг тока: 750 А
  • Рейтинг напряжения: 650 В
  • Частота работы: до 20 кГц
  • Максимальная температура: +175°C

Плюсы:

  • Высокая эффективность
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость
  • Долгий срок службы
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуются дополнительные компоненты для защиты от скачков напряжения
  • Необходимо соблюдение правил охлаждения

Общее назначение: ИКВ75Н65ЕТ7ХКСА1 используется для управления мощными электрическими цепями в различных приложениях.

Применяется в:

  • Автомобильной промышленности
  • Энергоэффективных системах
  • Машинно-строительном оборудовании
  • Промышленных преобразователях частоты
  • Системах управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики IKW75N65ET7XKSA1

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    80 A
  • Коллекторный ток (Icm)
    225 A
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    1.65V @ 15V, 75A
  • Рассеивание мощности
    333 W
  • Энергия переключения
    2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
  • Тип входа
    Standard
  • Заряд затвора
    435 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    28ns/310ns
  • Условие испытаний
    400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    100 ns
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3
  • Base Product Number
    IKW75N65

Техническая документация

 IKW75N65ET7XKSA1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    RGT16NL65DGTLТранзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    578Кешбэк 86 баллов
    RGT16TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    554Кешбэк 83 балла
    RGS00TS65EHRC11Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 884Кешбэк 282 балла
    RGTV60TK65GVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 093Кешбэк 163 балла
    RGT50NS65DGTLТранзистор: IGBT
    819Кешбэк 122 балла
    RGT8TM65DGC9Транзистор: FIELD STOP TRENCH IGBT
    276Кешбэк 41 балл
    RGS80TS65HRC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.
    1 406Кешбэк 210 баллов
    RGCL60TS60GC11Транзистор: IGBT
    750Кешбэк 112 баллов
    RGT16NS65DGC9Транзистор: IGBT
    339Кешбэк 50 баллов
    RGT50TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    1 914Кешбэк 287 баллов
    RGW80TS65GC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 132Кешбэк 169 баллов
    RGTH00TS65DGC13Транзистор: HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V
    1 423Кешбэк 213 баллов
    RGW60TS65GC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 082Кешбэк 162 балла
    RGT60TS65DGC13Транзистор: 5US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
    2 034Кешбэк 305 баллов
    RGTVX2TS65DGC11Транзистор: 650V 60A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 662Кешбэк 249 баллов
    RGS30TSX2DGC11Транзистор: 10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12
    1 606Кешбэк 240 баллов
    RGTVX6TS65GC11Транзистор: 650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 478Кешбэк 221 балл
    RGW50TS65DGC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    615Кешбэк 92 балла
    RGC80TSX8RGC11Транзистор: IGBT
    1 940Кешбэк 291 балл
    RGTV00TK65DGC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 617Кешбэк 242 балла
    RGW00TK65GVC11Транзистор: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 367Кешбэк 205 баллов
    RGW50TS65GC11Транзистор: 650V 25A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 030Кешбэк 154 балла
    RGTV60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 136Кешбэк 170 баллов
    RGTH80TK65GC11Транзистор: IGBT
    667Кешбэк 100 баллов
    RGCL80TK60GC11Транзистор: IGBT
    1 130Кешбэк 169 баллов
    RGW80TK65GVC11Транзистор: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT
    673Кешбэк 100 баллов
    RGTH80TK65DGC11Транзистор: IGBT
    1 167Кешбэк 175 баллов
    RGW50TK65DGVC11Транзистор: HIGH-SPEED FAST SWITCHING TYPE,
    674Кешбэк 101 балл
    RGW60TK65DGVC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 215Кешбэк 182 балла
    RGW60TS65DGC11Транзистор: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
    1 060Кешбэк 159 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП